在硅表面形成二氧化硅鈍化層的能力是硅技術(shù)中的關(guān)鍵因素之一。本章將解釋二氧化硅生長的工藝、形成及用途。K4D551638H-LC50其中，要詳細(xì)解釋本工藝中最重要的部分——反應(yīng)爐，因?yàn)樗?/span>氧化、擴(kuò)散、熱處理及化學(xué)氣相淀積反應(yīng)的支柱。另外，也會(huì)涉及到氧化反應(yīng)的不同方法，其中包括快速熱氧化工藝。

   在形成半導(dǎo)體器件的硅的所有優(yōu)點(diǎn)當(dāng)中，容易生長出二氧

化硅膜層這一點(diǎn)可能是最有用的。無論任何時(shí)候，當(dāng)硅表面暴露在氧氣中時(shí)，都會(huì)形成二氧化硅（見圖7.1）。二氧化硅是由一個(gè)硅原子和兩個(gè)氧原子組成的( S102)。在日常生活中，我們經(jīng)常會(huì)遇到二氧化硅，它是普通玻璃的主要化學(xué)組成成分。但用于半導(dǎo)體上的二氧化硅，是高純度的，經(jīng)過特定方法制成的。二氧化硅是在有氧化劑及逐步升溫的條件下，在光潔的硅表面E生成的，這種工藝稱為熱氧化。用濕法和干法氧化、等離子T藝和氣相反應(yīng)生成二氧化硅層。在有氧化劑存在的高溫工藝（稱為熱氧化）是用于半導(dǎo)體器件的工藝：

   盡管硅是一種半導(dǎo)體材料，但二氧化硅卻是一種絕緣材料。在半導(dǎo)體上結(jié)合一層絕緣材料，再加上二氧化硅的其他特性，使得二氧化硅成為硅器仵制造中得到最廣泛應(yīng)用的·種薄膜�？茖W(xué)家發(fā)現(xiàn)二氧化硅可以用來處理硅表面，做摻雜阻擋層、表面絕緣層，以及器件中的絕緣部分。在MOS器件中，最關(guān)鍵的層是柵，大部分柵是由二氧化硅薄層組成的．