去除表面的污染和不期望的自然生長(zhǎng)的氧化層對(duì)于一個(gè)，轉(zhuǎn)成功的氧化工藝來(lái)講是基本的。OPA336NA進(jìn)入晶圓的污染會(huì)對(duì)器件產(chǎn)    圖7. 30氧化丁藝流程生電特性問(wèn)題，對(duì)二氧化硅膜產(chǎn)生結(jié)構(gòu)完整性問(wèn)題。自然生長(zhǎng)的薄氧化層能改變厚度和氧化層生長(zhǎng)的完整性。

   典型的前氧化工藝（見(jiàn)第5章）是從機(jī)械洗刷開(kāi)始的，接著是RCA濕法清洗步驟，去掉有機(jī)物和非有機(jī)物污染，最后用氫氟酸( HF)或稀釋的氫氟酸刻蝕掉先天或化學(xué)生長(zhǎng)的氧化層。這是氫氟酸的最后。F藝。

   晶圓的氧化.[藝分為幾個(gè)不同的步驟，如圖7.31流程圖所示。一旦晶圓進(jìn)入清洗臺(tái)，這些晶圓將經(jīng)過(guò)徹底清洗。潔凈的晶圓對(duì)于制造過(guò)程的所有工藝來(lái)講都是基本的。對(duì)于在高溫工藝之前，此過(guò)程更為重要。

   一旦晶圓穩(wěn)定在JF確的溫度條件時(shí)，氣體控制器就會(huì)把流入的氣體轉(zhuǎn)到所選擇的氧化劑。對(duì)于厚于1200 A的氧化層，氧化劑通常是前面已討論過(guò)的一種蒸氣源。對(duì)于薄于1200 A的氧化層，通常采用純氧，因?yàn)槠涓训墓に嚳刂坪透鼭崈�，產(chǎn)生的氧化膜更致密。薄的MOS柵極氧化膜通常是在較低溫度(900℃)的氧氣中生長(zhǎng)。然而，在反應(yīng)爐中氧化工藝時(shí)問(wèn)町能需要幾個(gè)小時(shí)。一個(gè)替代的方式是在濕氧環(huán)境中牛長(zhǎng)薄柵氧膜以減少工藝時(shí)間，而羈．足減壓的情況下。降低壓力可以維持氧化膜的密度和結(jié)構(gòu)完整性2。薄的MOS柵氧化層要求非常潔凈的層。當(dāng)在氧化過(guò)程中加入氯后，潔凈度和器件性能得到改善28。

   摻氯氧化循環(huán)可以在一步工藝中發(fā)生，也可以在于氧氧化反應(yīng)前或干氧氧化反應(yīng)后發(fā)生。當(dāng)完成氧化循環(huán)后，爐管里的氣體回到充滿(mǎn)干燥氮?dú)獾臓顟B(tài)。氮?dú)馔ㄟ^(guò)稀釋和去除氧化劑來(lái)結(jié)束硅的氧化。它也保護(hù)晶圓在撤出步驟中不被氧化。