為了保持氧化層生長，氧原子與K4J52324QE-BC12硅原子必須接觸。可是，在硅表面生長的一層二氧化硅層阻擋了氧原子與硅原子的接觸。為了二氧化硅的繼續(xù)生長，一是讓晶圓中的硅原子浸入到氧氣中，或是讓氧氣進(jìn)入到晶圓表面。在二氧化硅的熱生長中，氧氣通過現(xiàn)存的氧化層進(jìn)入到硅晶圓表面（技術(shù)上稱為擴(kuò)散）。因此二氧化硅從硅晶圓表面消耗硅原子，氧化層長入( grow into)硅表面。

   隨著每一個(gè)新的生長層，擴(kuò)散的氧必須移動更多的路程才能到達(dá)晶圓。，其后果是，從時(shí)間角度來講，氧生長率( growth  rate)會變慢，這一階段稱為拋物線階段(parabolic stage)。當(dāng)畫出關(guān)系曲線，就會發(fā)現(xiàn)氧化膜厚度，生長率及時(shí)間的數(shù)學(xué)關(guān)系是拋物線形。其他描述這個(gè)階段的詞是受限輸運(yùn)反應(yīng)( transport limited reaction)，或受限擴(kuò)散反應(yīng)(diffusion limitedreaction)、這意味著生長率受限于氧在已形成的二氧化硅里的傳輸和擴(kuò)散。圖7.9表示的是線性和拋物線形的兩個(gè)階段。圖7. 10的公式表述了大約超過1200 A時(shí)，基本的拋物線關(guān)系。

   圖7.9  ：氧化硅的線性和拋物線生長    圖7.10二氧化硅生長參數(shù)的拋物線關(guān)系