生長氧化層會通過兩個階段：線性階段K4J52324QE-BC14和拋物線階段。從線性階段到拋物線階段的變化依賴于氧化溫度和其他因素（見7.3.1節(jié)）。通常來說，小于iooo A(0.1ht,m)是由線性機理控制的，這是大部分MOS柵極氧化層的范圍。2。1。

   拋物線關系的主要含義是指厚氧化層比薄氧化層需要更多的時間。例如，在1200℃的于氧( dryox)反應中，生長2000 A（0.20 ym）需要6分鐘，如圖7.11所示‘列。如果加倍到4000A需要約220分鐘，超過原來的36倍。這樣長的時間，對于半導體工藝來講是個問題。當用純氧作為氧化氣體，生長厚的氧化層需要更長的時間，特別是在低溫條件下。一般來說，工藝師希望在保證質量的前提下，時間越短越好。在前面的例子中提到的220分鐘實在太長r，一個氧化反應，需要一個班次的時間才能完成。

   —個加速氧化的方法是用水蒸氣( H20)來代替氧氣做氧化劑。圖7.12說明了在水蒸氣中牛長二氧化硅的過程。在氣態(tài)時，水以H-OH -基離子的形式存在。它由一個氫原子(H)和一個帶負電的氫氧根(OH-)組成，這個分子稱為氫氧基離子(hydroxyl  ion)，氫氧

基離子擴散穿過晶圓七的氧化層的能力比氧氣快。如圖7. 11所示的生長曲線，這是一個比較快的硅氧化過程。

   水在氧化反應時是以水蒸氣的形態(tài)存在的，這種工藝稱為蒸氣氧化( steam  oxidation)、濕氧化( wet oxidation)或高溫蒸氣氧化(pyrogenic steam)。濕氧化一詞來源于那個時代，當時氣態(tài)水來源于液態(tài)水。只有氧參與的氧化稱為干氧化。如果只用氧氣一定是干的（無水蒸氣的），而其他類型的生長氧化物可能用水蒸氣，并要求額外的工藝。