選擇性是等離子體刻蝕工藝的一個主要的考慮事項，特別是當(dāng)需要迸行平衡過刻蝕時。EL1881CSZ-T7理想情況是，刻蝕時間可以通過要預(yù)計去除的膜厚度加上一點，以確保安全的過刻蝕時間來計算。遺憾的是，累計厚度和在高密度器件中多層膜( stack)組成物的變化提出了刻蝕一致性問題。另外對于高密度器件，一個稱為微負(fù)載( microloading)的現(xiàn)象會引入刻蝕率的變化。微負(fù)載是相對于被刻蝕材料區(qū)域的本區(qū)域刻蝕率的變化。一個大的區(qū)域會以去掉的材料加載( load)于刻蝕過程，以減緩刻蝕速度，而小區(qū)域則會以較快的刻蝕率進(jìn)行。形貌問題也會要求對過刻蝕的考慮。典型的情況是在器件／電路中薄區(qū)域與厚區(qū)域上的接觸孔開口（見第10章）。這些因素對于金屬刻蝕會導(dǎo)致50%~80%的過刻蝕”，對于氧化物和多晶硅刻蝕會高達(dá)200%H。。

   過刻蝕使得選擇性問題變得非常關(guān)鍵。這里有兩個要考慮的因素：光刻膠和其下層膜 （通常是硅或氮化硅）。干法刻蝕較濕法刻蝕工藝對光刻膠有更高的去除率。，更薄的膜用于小尺寸圖形并在多層疊加膜中使用，使得光刻膠的選擇性變得十分關(guān)鍵�；旌线x擇性問題是高深寬比的圖形。先進(jìn)的器件有達(dá)到4:1的深寬比的圖形�？着c其高度相比非常窄，以至于刻蝕在接近孔的底部會減慢或停止r15]。

   用于控制選擇性的4種方法是刻蝕氣體配比的選擇、刻蝕率、接近工藝結(jié)束時的氣體稀釋來減緩對下層的刻蝕，在系統(tǒng)中使用終點探測器。

   當(dāng)頂層膜已經(jīng)被去除時，要求系統(tǒng)內(nèi)置終點檢測器終止刻蝕。典型的是使用激光干涉儀。隨著刻蝕進(jìn)程，一束激光在晶圓表面被反射。以一種振蕩的模式返回到探測器，它隨被刻蝕的材料的種類而變。終點探測器對在尾氣流存在的刻蝕層材料敏感，并在探測不到被刻蝕材料時自動發(fā)出信號來結(jié)束刻蝕。