第二種類型的干法刻蝕系統(tǒng)是離子束刻蝕系統(tǒng)（見圖9. 24）。與化學(xué)等離子體刻蝕系統(tǒng)不同，EL1883ISZ-T離子束刻蝕是一個(gè)物理過程。晶圓在真空反應(yīng)室內(nèi)被置于固定器上，并且向反應(yīng)室導(dǎo)入氬氣流。當(dāng)進(jìn)入反應(yīng)室，氬氣便受到從一對(duì)陰（一）陽(+)電極來的高能電子束流的影響。電子將氬膘子離子化成為帶正電荷的高能狀態(tài)。由于晶圓位于接負(fù)極的固定器上，從而氬離子便被吸向固定器。當(dāng)氬原子向晶圓固定器移動(dòng)時(shí)，它們會(huì)加速，提高能量。在晶圓表面，它們轟擊進(jìn)入暴露的晶圓層，并從晶圓表面炸掉一小部分�？茖W(xué)家稱這種物理過程為動(dòng)量傳輸( momentum transfer)。在氳原子與晶圓材料間不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，，離子束刻蝕也稱濺射刻蝕( sputter  etching)或離子銑( ion milling)。

   材料的去除（刻蝕）有高度的方向性（各向異性），導(dǎo)致良好的小開口區(qū)域的精密度。，因?yàn)槭俏锢磉^程， 離子銑的選擇性很差，特別對(duì)于光刻膠層。

   反應(yīng)離子刻蝕( RIE)系統(tǒng)結(jié)合等離子體刻蝕和離子束刻蝕原理。系統(tǒng)在結(jié)構(gòu)上與等離子體刻蝕系統(tǒng)相似，但具有離子銑的能力。兩種原理的結(jié)合突出了它們各自的優(yōu)點(diǎn)，化學(xué)等離子刻蝕和離子銑的方向性。RIE系統(tǒng)的一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是在刻蝕硅層上的二氧化硅

層。它們的結(jié)合使得選擇比提高j20ii到35：1，而在只有等離子體刻蝕時(shí)為10：1。RIE系統(tǒng)已成為用于最先進(jìn)牛產(chǎn)線中的刻蝕系統(tǒng)。