在光刻膠層能夠產(chǎn)生的最小圖形或其間距通常被作為對光刻膠分辨率（resolution capability）的參考，，AD9779BSVZ在晶圓上最關(guān)鍵的器件和電路的尺寸( CD)是圖形化工藝的目標(biāo)。產(chǎn)生的圖形或其間距越小，說明分辨率越高。一種特定光刻膠的分辨率，實(shí)際是指特定工藝的分辨率，它包括曝光源和顯影工藝。改變其他的工藝參數(shù)會改變光刻膠固有的分辨率�？傮w來說，越細(xì)的線寬需要越薄的光刻膠膜來產(chǎn)生。然而，光刻膠膜必須要足夠厚來實(shí)現(xiàn)阻擋刻蝕的功能，并且保證不能有針孔。光刻膠的選擇是這兩個目標(biāo)的權(quán)衡。

   用深寬比( aspect  ratio)來衡量光刻膠與分辨率和光刻膠厚度

相關(guān)的特殊能力（見圖8. 13）。深寬比是光刻膠厚度與圖形開口尺寸的比值。隨著業(yè)界要求更小的圖形，圖形密度和形狀因子開始在光刻膠設(shè)計(jì)方面產(chǎn)生影響。對于一種給定的光刻膠，孤立圖形、水接觸孔和高密度圖形的區(qū)域，由于反射效果和化學(xué)反應(yīng)因素，整個曝光和顯影都不同。從而，有專門用于這些情況而設(shè)計(jì)的光刻膠。

   正膠比負(fù)膠有更高的深寬比，也就是說，對于一個給定的圖

形尺寸開n，正膠的光刻膠層可以更厚。由于正膠的聚合物分子

尺寸更小，所以它可以分解出更小的圖形。其實(shí)這就有點(diǎn)像用更小的刷子來畫一條更細(xì)的線。對于先進(jìn)的高密度甚大規(guī)模集成電路，更合適選用正膠。