平面等離子體刻蝕：對(duì)于更EL1537IREZ精確的刻蝕，平板式等離子體系統(tǒng)受到青睞。這種系統(tǒng)含有桶式系統(tǒng)的基本構(gòu)成，但晶圓被放置在一個(gè)有接地的，在射頻( RF)電極下的盤上（見(jiàn)圖9.22）。刻蝕實(shí)際上發(fā)生在等離子體中、刻蝕離子相比在桶式系繞中是有方向性的，這將導(dǎo)致更加各向異性刻蝕。用等離子體刻蝕町以得到幾、乎垂直的側(cè)邊。在該系統(tǒng)中，旋轉(zhuǎn)晶圓盤可以增加刻蝕均勻性。 等離子體場(chǎng)平面等離子體系統(tǒng)被設(shè)計(jì)成批量和單片晶圓反應(yīng)室配置。單片晶圓系統(tǒng)因其可對(duì)刻蝕參數(shù)緊密控制，并得到均勻刻蝕而受到歡迎。此外，帶有加載室的單片晶圓系統(tǒng)可以保持高產(chǎn)量并可與在線自動(dòng)化配合。

   產(chǎn)生射頻的平板式等離子體源在0. 35 lxm工藝中正在被新形式等離子體源所取代1!8i，．在考慮中的高密度、低壓的等離子體源是電子回旋加速器共振( ECR)、高密度反射電子、海利康( Helicon)波、感應(yīng)耦合等離子體(ICP)和變壓器耦合等離子體(TCP)等。

   干法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)在于如下各個(gè)方面：刻蝕率、輻射損傷、選擇性、微粒的產(chǎn)牛、刻蝕后腐蝕和擁有成本.