等離子體系統(tǒng)的刻蝕率由…系列因素來決定。系統(tǒng)設(shè)計(jì)和化學(xué)品是其中兩個(gè)因素。EL1881CN其他因素是離子濃度和系統(tǒng)壓力。離子濃度（離子數(shù)／cm3）是供給電極電能的一個(gè)函數(shù)（電能供應(yīng)配置在第12章中描述）。提高功率會(huì)產(chǎn)生更多離子從而又會(huì)提高刻蝕率。離子密度與增加化學(xué)刻蝕液體的濃度相似。離子密度在3×l0'o~3×l0'2的范圍內(nèi)陽}。系統(tǒng)壓力通過稱為平均自由程( mean free path)的現(xiàn)象，以影響刻蝕率和一致性。這是一個(gè)氣體原子或分子在碰撞到另一個(gè)微粒前經(jīng)過的平均距離。在壓力更高時(shí)，會(huì)發(fā)生很多碰撞，使微粒向各種方向運(yùn)動(dòng)，從而導(dǎo)致邊緣輪廓失去控制。低壓較為理想，但要權(quán)衡在下面解釋到的等離子體損傷。典型的系統(tǒng)壓力在0.4~ 50 m torr的范圍內(nèi)i9II。刻蝕率從600~ 2000 A/min。

   系統(tǒng)設(shè)計(jì)更傾向于較高的密度和較低的壓力。然而，負(fù)面影響是對晶圓的輻射( radiation)或等離子體( plasma)的損傷。在等離子體場中有受激發(fā)的原子、原子團(tuán)、離子、電子和光子lll。根據(jù)這些粒子的濃度與能量級別不同而導(dǎo)致對半導(dǎo)體酌各種損傷。損害包括表面漏電、電參數(shù)的變化、膜的退化（特別是氧化層）和對硅的損害。有兩種損傷機(jī)理，一種是簡單地、過度地暴露于高濃度的等離子體中。另一種是由于在刻蝕循環(huán)中電流流過介質(zhì)而導(dǎo)致的介質(zhì)破損( dielectric wearout)�！。更高密度的等離子體源還對光刻膠的去除帶來一個(gè)問題。能量與低壓力的結(jié)合使光刻膠趨于變硬到用傳統(tǒng)的工藝難以去除的程度（見9.7節(jié)）。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員正在研究具有高密度、低能量離子（以降低損傷）和低壓力的等離子體。除了平衡離子密度或壓力參數(shù)外，下游等離子體( downstream plasma)源工藝是一個(gè)減少等離子體損傷的選擇�？稍斐蓳p傷的粒子來源于等離子體源產(chǎn)生的高能氣體。下游等離子體源系統(tǒng)在一個(gè)反應(yīng)室產(chǎn)生等離子體，而后將其傳輸?shù)较掠蔚木A。晶圓與可造成損傷的等離子體被分隔開來。為了將損害降低到最小，系統(tǒng)必須可區(qū)分等離子體放電、離子的復(fù)合以及電子密度的減小12。下游等離子體源系統(tǒng)被發(fā)展成為在光刻膠去除時(shí)可使等離子體損害減到最小。雖然使刻蝕系統(tǒng)變得更為復(fù)雜，但它在刻蝕中的應(yīng)用正受到關(guān)注。