光刻膠的曝光圖形分為光柵式和矢量式（見圖10.7）。光柵式掃描是電子束從晶圓一邊掃描到另一邊然后向下。計(jì)算機(jī)控制方向和開關(guān)電子束。 NCP303LSN44T1光柵式掃描的缺點(diǎn)是費(fèi)時(shí)，因?yàn)殡?/span>子束要掃描整個(gè)晶圓表面。而矢量式掃描曝光，電子束直接移到需要曝光的地方，在每一個(gè)需要曝光的地方，曝出一個(gè)個(gè)小的矩形或長方形，直到需要的圖形曝光完成。

   因?yàn)闆]有r光列掩模版和光學(xué)系統(tǒng)的誤差，電子束曝光的晶片有很好的對(duì)準(zhǔn)和套準(zhǔn)結(jié)果。目前使用的電子束曝光系統(tǒng)，能得到0.25 ym的分辨率一3。大規(guī)模使用電子束曝光系統(tǒng)存在速度和費(fèi)用的問題。之所以速度慢，其中一個(gè)原因是在曝光反應(yīng)室中產(chǎn)生和釋放真空需要很長時(shí)間。

   我們已經(jīng)描述了電子束系統(tǒng)的基礎(chǔ)。遺憾的是無掩模（光柵式或矢量掃描式）系統(tǒng)將圖形復(fù)制到晶圓表面的速度太慢。一種使用電子束曝光的先進(jìn)技術(shù)是電子束投影光刻( EPL)。該系統(tǒng)使用電子束曝光源、掩模版和掃描投影方法（見圖10.8）。由朗訊(Lucent)技術(shù)公司開發(fā)的這個(gè)系統(tǒng)稱為SCALPEL，使用了掃描掩模版。電子是高能的，并能通過大多數(shù)材料。而傳統(tǒng)的掩模版阻止了部分曝光束，并允許其他部分通過，掃描掩模版允許這兩段電子束通過。然而，如顯示的那樣，一部分掩模版散射電子束。減少r到達(dá)晶圓的透鏡聚焦束。在此之間是一個(gè)孔徑，它基本七允許未受阻的電子束流通過以到達(dá)晶圓表面，并阻止被散射電子束流。