我們知道在0.5 ym以下工藝制成中，在光刻膠上可能形成扭曲的圖形。NCP305LSQ18T1光學(xué)臨近修正或光學(xué)工藝修正( OPC)掩模版試圖在掩模版／放大掩模版上做出扭曲的圖形，將它們曝光在光刻膠f-時(shí)，卻可以形成完美圖形。特別脆弱的情況是鄰近透光／不透光區(qū)域密集的圖形和短的和／或像小接觸孔這樣的圖形拐角周圍。借助于計(jì)算機(jī)，對(duì)曝光工藝條件（反差效應(yīng)）進(jìn)行分析，然后設(shè)計(jì)掩模版上的圖形¨7：。對(duì)于一個(gè)圓端圖形修正的例子如圖10.19所示。另一個(gè)技術(shù)是兩次光刻(doublemasking)。第一個(gè)掩模版是相移掩模版，在光刻膠上產(chǎn)生部分圖形。第=個(gè)掩模版（整形掩模版）尾部有點(diǎn)增大，能夠完成設(shè)計(jì)的圖形.

   環(huán)孔照射( annular ring illumination)作為一種技術(shù)手段，首先是由珀金·埃爾默(PerkinElmer)掃描投影光刻機(jī)采用的．j在解決分辨率這一問(wèn)題上，均勻一致的光源是一個(gè)重要武器。遺憾的是，傳統(tǒng)的光學(xué)曝光源產(chǎn)生的光斑太不均勻一致了然而，在這個(gè)光斑中，我們可以找到能量均勻一致的區(qū)域（如環(huán)狀區(qū)域）。環(huán)孔光源擋去了大部分光，只透過(guò)環(huán)狀的均勻一致的光照射在晶圓上。