電路通過圖形密度的增加和工藝層數(shù)的增加升級到了超大規(guī)模集成電路( VLSI)的水平。NCP305LSQ33T1隨著各種各樣的工藝層被刻蝕成圖形，晶圓表面變得高低不平這些高低不平的平面各自具有不同的反射性質(zhì)（見圖10. 24）。在這樣的表面條件下，使用簡單的單層光刻膠LZ想達到啞微米圖形的分辨率幾乎是不可能的。一個問題就是景深問題。，景深有限的鏡頭不能使高平面和低平面的圖形同時得到很好的曝光。另一個就是在臺階處由光反射造成的金屬圖形掣¨1（見圖10. 25）。在表面形貌復(fù)雜的晶圓上，日前有許多平坦化技術(shù)被使用。這些技術(shù)包括多層光刻膠工藝、工藝層平坦化、入射的射線回流技術(shù)，及化學(xué)機械拋光。目前最受關(guān)注的是表面全局平坦化( CMP)，通過它使用單層光刻膠便可以得到理想的圖形。然而，已描述的多層光刻膠工藝在這個工藝轉(zhuǎn)變的時期還是很有用的.