另一種顯示摻雜區(qū)域的二維圖形是濃度隨深度變化的曲線。這種圖形的縱坐標(biāo)為雜質(zhì)的濃度，ADS7888SDBVR橫坐標(biāo)為距晶圓表面的深度。圖11.7給出了這種圖形的一個例子。這個圖例中所用的數(shù)據(jù)來自圖11.6所示的摻雜示例。首先，畫出了P型摻雜的濃度。示例中，縱深方向的5個層中剛好有5個P型雜質(zhì)原子[見圖11.7(b)]。其次，N型雜質(zhì)的原子數(shù)也被標(biāo)示出了。由于原子數(shù)隨著深度的增加而減少，所畫線段向右下方傾斜。在第4層，N型與P型雜質(zhì)數(shù)量相當(dāng)，兩線交合。這是圖形方式顯示結(jié)的位置。對于實際的工藝而言，外來摻雜的濃度隨深度的縱剖面圖不是一條直線。它們是曲線，曲線的形狀是由摻雜技術(shù)的物理特性決定的。曲線的實際形狀在淀積和推進(jìn)的章節(jié)中介紹．