束流聚焦
發(fā)布時(shí)間:2015/11/5 18:39:16 訪問(wèn)次數(shù):866
離開(kāi)加速管后,束流由于相同電荷的排斥作用而發(fā)散。分離(發(fā)散)導(dǎo)致離子密度不均勻和晶圓摻雜層的不均一。為使離子注入成功,AD7002AS束流必須聚焦。靜電或磁透鏡用于將離子聚焦為小尺寸束流或平行束流帶|i131。平行離子束是極其重要的,尤其是對(duì)晶體管的柵的應(yīng)用,因為離子束的偏差可能引起不均勻的摻雜劑的劑量,進(jìn)而影響晶體管的性能。
盡管真空去除了系統(tǒng)中的大部分空氣,但是束流附近還是有一些殘存的氣體分子。離子和剩余氣體原子的碰撞導(dǎo)致?lián)诫s離子的中和:
在晶圓內(nèi),這些電中性的粒子導(dǎo)致?lián)诫s不均勻,同時(shí)由于它們無(wú)法被設(shè)備探測(cè)計(jì)數(shù),還會(huì)導(dǎo)致晶圓摻雜量的計(jì)數(shù)不準(zhǔn)確。抑制中性粒子流的方法是通過(guò)靜電場(chǎng)板的方法將束流彎曲,中性的束流會(huì)繼續(xù)沿直線運(yùn)動(dòng)而遠(yuǎn)離晶圓(見(jiàn)圖11. 25)。
離開(kāi)加速管后,束流由于相同電荷的排斥作用而發(fā)散。分離(發(fā)散)導(dǎo)致離子密度不均勻和晶圓摻雜層的不均一。為使離子注入成功,AD7002AS束流必須聚焦。靜電或磁透鏡用于將離子聚焦為小尺寸束流或平行束流帶|i131。平行離子束是極其重要的,尤其是對(duì)晶體管的柵的應(yīng)用,因為離子束的偏差可能引起不均勻的摻雜劑的劑量,進(jìn)而影響晶體管的性能。
盡管真空去除了系統(tǒng)中的大部分空氣,但是束流附近還是有一些殘存的氣體分子。離子和剩余氣體原子的碰撞導(dǎo)致?lián)诫s離子的中和:
在晶圓內(nèi),這些電中性的粒子導(dǎo)致?lián)诫s不均勻,同時(shí)由于它們無(wú)法被設(shè)備探測(cè)計(jì)數(shù),還會(huì)導(dǎo)致晶圓摻雜量的計(jì)數(shù)不準(zhǔn)確。抑制中性粒子流的方法是通過(guò)靜電場(chǎng)板的方法將束流彎曲,中性的束流會(huì)繼續(xù)沿直線運(yùn)動(dòng)而遠(yuǎn)離晶圓(見(jiàn)圖11. 25)。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 芯片和晶圓尺寸的增大
- 雙大馬士革銅工藝
- 電纜各支持點(diǎn)間的距離
- PE線的重復(fù)接地可以降低當(dāng)相線碰殼短路時(shí)的設(shè)
- 四探針測(cè)試儀測(cè)量厚度
- 電壓損失是指線路始端電壓與末端電壓的代數(shù)差
- TT系統(tǒng)內(nèi)的漏電保護(hù)器
- 硅濕法刻蝕
- TN-C方式供電系統(tǒng)是用工作零線兼作接零保護(hù)
- 退火和雜質(zhì)激活
推薦技術(shù)資料
- 硬盤(pán)式MP3播放器終級(jí)改
- 一次偶然的機(jī)會(huì)我結(jié)識(shí)了NE0 2511,那是一個(gè)遠(yuǎn)方的... [詳細(xì)]
- F28P65x C2000 實(shí)時(shí)微控制器
- ARM Cortex-M33 內(nèi)核̴
- 氮化鎵二極管和晶體管̴
- Richtek RT5716設(shè)
- 新一代旗艦芯片麒麟9020應(yīng)用
- 新品WTOLC-4X50H32
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究