束流掃描
發(fā)布時(shí)間:2015/11/5 18:40:36 訪問(wèn)次數(shù):783
離子束流比晶圓有更小的直徑(約為1cm)。若要以均勻摻雜覆蓋整個(gè)晶圓,AD7003AR就要用束流對(duì)晶圓掃描。可使用3種方法:束流掃描、機(jī)械掃描和快門(mén),可采用任意一種或多種組合。
束流掃描的系統(tǒng)使束流通過(guò)多個(gè)靜電場(chǎng)電極板(見(jiàn)圖11. 26)。電極板的正負(fù)電性可受控改變以吸引或排斥粒子束流。通過(guò)兩個(gè)方向上的電性控制,束流會(huì)以光柵掃描方式掃過(guò)整片晶圓。
束流掃描方式主要用于中等束流離子注入機(jī)注入單片晶圓。其過(guò)程迅速而均勻,缺點(diǎn)是束流需全部離開(kāi)晶圓以實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)向。對(duì)于大尺寸晶圓來(lái)說(shuō),其過(guò)程會(huì)使注入時(shí)間延長(zhǎng)30%或更多。高束流機(jī)囂上的另一個(gè)問(wèn)題是高密度離子導(dǎo)致的放電(所謂空間電荷力)會(huì)毀壞靜電板。寬束流掃過(guò)晶圓。在有些系統(tǒng)中,每掃一次,晶圓就旋轉(zhuǎn)90。以確保其均勻性14。
機(jī)械掃描解決掃描問(wèn)題的方式為使束流固定在一個(gè)位置,在其前面移動(dòng)晶圓。機(jī)械掃描主要用在高束流的機(jī)器上。優(yōu)點(diǎn)之一是無(wú)須浪費(fèi)時(shí)間扭轉(zhuǎn)束流,同時(shí)束流速度恒定。如果晶圓與束流間有一個(gè)角度,有可能導(dǎo)致注入深度不均勻。但在有些情況下,晶圓被定向?yàn)榕c束流有一個(gè)角度。束流快門(mén)使用電場(chǎng)或機(jī)械快門(mén)使束流在晶圓上接通,離開(kāi)晶圓時(shí)斷開(kāi)。多數(shù)系統(tǒng)使用束流掃描和機(jī)械運(yùn)動(dòng)的組合。
離子束流比晶圓有更小的直徑(約為1cm)。若要以均勻摻雜覆蓋整個(gè)晶圓,AD7003AR就要用束流對(duì)晶圓掃描?墒褂3種方法:束流掃描、機(jī)械掃描和快門(mén),可采用任意一種或多種組合。
束流掃描的系統(tǒng)使束流通過(guò)多個(gè)靜電場(chǎng)電極板(見(jiàn)圖11. 26)。電極板的正負(fù)電性可受控改變以吸引或排斥粒子束流。通過(guò)兩個(gè)方向上的電性控制,束流會(huì)以光柵掃描方式掃過(guò)整片晶圓。
束流掃描方式主要用于中等束流離子注入機(jī)注入單片晶圓。其過(guò)程迅速而均勻,缺點(diǎn)是束流需全部離開(kāi)晶圓以實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)向。對(duì)于大尺寸晶圓來(lái)說(shuō),其過(guò)程會(huì)使注入時(shí)間延長(zhǎng)30%或更多。高束流機(jī)囂上的另一個(gè)問(wèn)題是高密度離子導(dǎo)致的放電(所謂空間電荷力)會(huì)毀壞靜電板。寬束流掃過(guò)晶圓。在有些系統(tǒng)中,每掃一次,晶圓就旋轉(zhuǎn)90。以確保其均勻性14。
機(jī)械掃描解決掃描問(wèn)題的方式為使束流固定在一個(gè)位置,在其前面移動(dòng)晶圓。機(jī)械掃描主要用在高束流的機(jī)器上。優(yōu)點(diǎn)之一是無(wú)須浪費(fèi)時(shí)間扭轉(zhuǎn)束流,同時(shí)束流速度恒定。如果晶圓與束流間有一個(gè)角度,有可能導(dǎo)致注入深度不均勻。但在有些情況下,晶圓被定向?yàn)榕c束流有一個(gè)角度。束流快門(mén)使用電場(chǎng)或機(jī)械快門(mén)使束流在晶圓上接通,離開(kāi)晶圓時(shí)斷開(kāi)。多數(shù)系統(tǒng)使用束流掃描和機(jī)械運(yùn)動(dòng)的組合。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 光刻膠的存儲(chǔ)和控制
- 晶圓中測(cè)
- 導(dǎo)線截面積及類(lèi)型的選擇
- 鋁銅合金
- 電子束或直寫(xiě)
- 非常薄的MOS柵極氧化生長(zhǎng)是高壓氧化工藝的候
- 金屬有機(jī)物CVD
- 電纜線路在隧道、管、溝內(nèi)敷設(shè)的要求
- 接觸電阻
- 器件絕緣體(MOS柵)
推薦技術(shù)資料
- 頻譜儀的解調(diào)功能
- 現(xiàn)代頻譜儀在跟蹤源模式下也可以使用Maker和△Mak... [詳細(xì)]