對離子注入晶圓的評估基本同擴(kuò)散層的評估一樣。采用四探針測試儀測試該層的方塊電阻。 AD7548JP擴(kuò)散電阻技術(shù)和電容一電壓技術(shù)決定剖面濃度、劑量和結(jié)深。結(jié)深也可以由斜角染色法來決定．，這些方式將在第14章介紹。

   對于注入層，一種稱為范德堡( Van Der Pauw)結(jié)構(gòu)的特殊結(jié)構(gòu)有時用來替代四探針測試儀（見圖11. 37）。這種結(jié)構(gòu)允許決走方塊電阻而沒有四探針的接觸電阻問題。注入后的晶圓變化可能來自多種因素：束流的均勻度、電壓的變化、掃描的變化及機(jī)械系統(tǒng)的問題。這些潛在問題有可能導(dǎo)致比擴(kuò)散工藝更大的方塊電阻的變化。為檢測和控制整個晶圓表面的方塊電阻，繪圖技術(shù)很流行。晶圓表面繪圖（見圖11. 38）基于計算機(jī)校正鄰近與邊緣效應(yīng)后的四探針測試。

   習(xí)11. 37范德堡(Van Der Pauw)測試圖形    圖11. 38四探針表面測試圖形（經(jīng)Prometrics許可）離子注入的特殊測試技術(shù)是光學(xué)劑量測定。這項技術(shù)要求旋轉(zhuǎn)涂有光刻膠的玻璃圓盤。在放入離子注入機(jī)以前，光刻膠膜被劑量檢測儀掃描，以測量膜的吸收率。這條信息存儲在計算機(jī)中。這個晶圓與上面的膜接受了與器件晶圓相同的離子注入。光刻膠吸收一定劑量的離子而變黑。注入后，該膜被再次掃描。計算機(jī)將每一點(diǎn)都減去注入前的值，打印出表面的等高線圖。等高線的線間距反映了表面摻雜的均勻

性（見圖11. 39）。