離子注入也有其缺點(diǎn)，即設(shè)備昂貴且復(fù)雜。培訓(xùn)和保養(yǎng)維護(hù)比相應(yīng)的擴(kuò)散更耗時。AD7548KN設(shè)備在高電壓和更多有毒氣體的使用上呈現(xiàn)出新的危險(xiǎn)。從工藝角度看，最大的憂慮來自退火完全消除注入帶來損傷的能力。然而，盡管有這些缺點(diǎn)，離子注入仍是先進(jìn)電路摻雜工藝的首選19。并且，很多新的結(jié)構(gòu)只有依賴離子注入的特有優(yōu)勢才能實(shí)現(xiàn)�，F(xiàn)在正在研發(fā)的一種新技術(shù)是等離子浸沒( plasma ion immersion)，又稱為PII。在這種技術(shù)中，將分析磁鐵從系統(tǒng)中去除。摻雜劑離開源部分，等離子場增強(qiáng)它們的能量。201。這種技術(shù)將晶圓放在含有摻雜物原子的等離子場中（類似于離子銑或?yàn)R射）。當(dāng)晶圓和雜質(zhì)離子被恰當(dāng)?shù)爻湟噪姾蓵r（很像

離子注入），雜質(zhì)原子加速到晶圓表面并射入。與離子注入的區(qū)別在于，低能量的等離子場使晶圓的電荷積累較少，從而為淺結(jié)的形成提供了更多的控制。

   無論如何，離子注入都是將半導(dǎo)體工業(yè)帶入納米時代的摻雜技術(shù)。其好處有：

   ●l0'0~ 10'6原子／CI112范圍內(nèi)的精確劑量控制

   ·大面積區(qū)域的均勻性

   ·通過能量的選擇，控制雜質(zhì)的分布剖面

   ·比較容易注入所有雜質(zhì)元素

   ·使側(cè)向擴(kuò)散最小化

   ·注人非摻雜原子

   ·可透過表面層摻雜

   ·對于不同的摻雜可選擇不同的掩膜材質(zhì)

   ·深阱區(qū)（倒摻雜阱）的特別分布剖面