雖然摻雜的Ⅸ域和PN結(jié)形成電路中的電子有源元件的核心，但是需要各種其他半導(dǎo)體、 AD7548SQ/883絕緣介質(zhì)和導(dǎo)電層完成器件，并促使這些器件集成為電路。有幾種技術(shù)可以將這些層加到晶圓的表面，j鶯要一螳是化學(xué)氣相淀積(CVD)、物理氣相淀積(PVD)、電鍍、旋轉(zhuǎn)涂敷和蒸發(fā)。本章將描述最常用的CVD技術(shù)和淀積在晶圓表面的半導(dǎo)體材料。PVD、電鍍、旋轉(zhuǎn)涂敷和蒸發(fā)工藝將存第13章描述。

   光刻掩膜技術(shù)的進步已經(jīng)促進了甚大規(guī)模集成電路( ULSI)的制造。隨著電路尺寸的不斷縮小，也開始通過增加淀積層數(shù)的方法，在垂直方向上進行拓展。在20世紀(jì)60年代，雙極器件已經(jīng)采用r化學(xué)氣相淀積技術(shù)完成的雙層結(jié)構(gòu)，即外延層和頂部的二氧化硅鈍化層（見圖12.1），而早期的MOS器件僅有一層鈍化層（見圖12.2）。到20世紀(jì)90年代，先進的MOS器件具有4層金屬內(nèi)部連接，需要許多淀積層。這“堆疊”已經(jīng)伴隨更多金屬層、器件方

案和絕緣層，專rJ的金屬化技術(shù)將在第13章論述。通用器件結(jié)構(gòu)將在第17章論述。