如下這砦增加的層在器件AD7548TQ或電路的結(jié)構(gòu)中起著各種不同的作用：

   ·淀積摻雜的硅層，稱為外延層( epitaxial layer)（見本章的相關(guān)部分）

   ·金屬問的絕緣介質(zhì)層( IMD)

   ·垂直（溝槽）電容器

   ·金屬間互連導(dǎo)電寨

   ·金屬導(dǎo)體層

   ·最終的鈍化層

   薄層的淀積主要采用兩種方法：化學(xué)氣相淀積( CVD)和物理氣相淀積(PVD)。有關(guān)蒸發(fā)和濺射的金屬化淀積技術(shù)將在第13章中給予描述。本章中提到的特殊薄膜的用途將在第16章和第17章中進行詳細講解。本章介紹化學(xué)氣相淀積( CVD)在常壓和低壓技術(shù)中

的實際運用。