薄膜表面的平整性如同厚度一樣重要。第10章已詳盡闡述了臺(tái)階和表面的粗糙度對(duì)圖像形成的影響。G2992F1U淀積的薄膜必須平整、光滑，并且淀積的方法允許形成最小的臺(tái)階、裂隙和表面反射。

   淀積的薄膜必須具有所要求的均勻成分。許多反應(yīng)是復(fù)雜的，且有可能淀積的簿膜含有的成分與所要求的成分不同。化學(xué)計(jì)量學(xué)( Stoichiometry)提供了對(duì)化學(xué)反應(yīng)中的反應(yīng)物和形成物的定量計(jì)算的方法。除化學(xué)的成分外，核粒( grain)尺寸具有同樣的重要

性。在淀積過(guò)程中，薄膜材料趨向于聚集或成核。在相同的成分和厚度的薄膜中，核粒尺寸E的變化也會(huì)產(chǎn)生電性能及機(jī)械性能上的差異，其原因在于流經(jīng)核粒表面的電流會(huì)受到影響。機(jī)械特性也隨著核粒界面大小而改變。

   無(wú)應(yīng)力是對(duì)淀積的薄膜的另一種特性上的要求。淀積時(shí)附加額外應(yīng)力的薄膜將通過(guò)裂隙的形成而釋放此應(yīng)力。裂隙的薄膜使薄膜的表面變粗，而且雜質(zhì)也會(huì)滲透到晶圓內(nèi)。嚴(yán)重時(shí)將導(dǎo)致短路。

   純凈度，即在薄膜中不含有不需要．的化學(xué)元素或分子，以保證薄膜執(zhí)行預(yù)定的功能。例如，外延層中含有氧的雜質(zhì)將改變其電性能。純度也包括可動(dòng)離子沾污和微粒之外的其他物質(zhì)。

   電容是淀積薄膜的另一個(gè)重要參數(shù)（見(jiàn)第2章）。半導(dǎo)體中的金屬傳導(dǎo)層需要高傳導(dǎo)、低電阻和低電容的材料，也稱(chēng)為低k值絕緣介質(zhì)（low-k dielectric）。傳導(dǎo)層之間使用的絕緣介質(zhì)層需要高電容或高后值的絕緣介質(zhì)（high-k dielectric）-彭。

   層間介質(zhì)應(yīng)采用低A材料，希望降低電容效應(yīng)——詳者注。