淀積薄膜的生長需要幾個不同的階段（見圖12.7）。第一階段是成核過程(nucleation)。G5258A2該過程非常重要，并且與襯底的質(zhì)量密切相關(guān)。起初，晶核在淀積了幾個原子或分子的表面L形成。j然后，這些原子或分子形成許多個小島，進而長成為較大的島。在第i階段，這砦島向外擴散，最后形成連續(xù)的薄膜。薄膜長成特定的幾百埃的階段就是這樣一個傳輸過程。傳輸過程的薄膜與最終的較厚的薄膜“體”有著不同的物理和化學(xué)性質(zhì)。

   在傳輸膜形成之后，薄膜體開始生長。人們設(shè)計出廠多種【藝，用以形成下面的3種結(jié)構(gòu)：非晶體、多晶體和單晶體（見圖12.8）。這些術(shù)語已經(jīng)在前面的章節(jié)中闡述過了。對工藝的設(shè)置不當和控制不良，將導(dǎo)致薄膜結(jié)構(gòu)上的錯誤。例如，在晶圓上生長單晶外延膜，但在晶圓的氧化物未被去除干凈的島區(qū)，結(jié)果會在生長的薄膜當中生成多晶區(qū)域。