采用CVD技術(shù)淀積的薄膜，按電性能可分為半導(dǎo)體膜、絕緣體膜和導(dǎo)體膜。 GLT5640L16-7TC下面內(nèi)容介紹了每一種膜在半導(dǎo)體器件中的主要應(yīng)用，以及特殊薄膜的使用。這里對(duì)特殊薄膜只做概括性的介紹，第16章將給出較為細(xì)致的解釋。導(dǎo)體金屬膜的淀積方法將在第13章中討論。

   至此，我們已經(jīng)討論了作為半導(dǎo)體器件和電路基礎(chǔ)部分晶圓的形成。但制造高質(zhì)量的器件和電路，體硅( bulk)晶圓的使用還存在著一些不足。晶圓的質(zhì)量、摻雜范圍和摻雜的控制等因素限制了體硅晶圓的使用，同時(shí)也限制了高性能雙極型晶體管的制造。解決的方法是硅淀積，稱為外延層( epitaxial layer)。這是業(yè)界的主要進(jìn)展之一。早在1950年，外延層已成為半導(dǎo)體工藝中的一部分2。J。從那時(shí)起，硅淀積工藝便應(yīng)用于先進(jìn)的雙極型器件的設(shè)計(jì)，CMOS電路中對(duì)質(zhì)量要求較高的襯底，以及在藍(lán)寶石和其他襯底上的硅外延層的淀積（見(jiàn)第14章）。砷化鎵和其他III~V族和II~V1族薄膜也采用了外延膜的淀積工藝。外廷膜具有與襯底材料同樣的材料時(shí)（如硅上硅），產(chǎn)生的薄膜稱為同質(zhì)外延（homoepitaxial）。淀積材料不同于襯底材料時(shí)（如硅上砷化鎵），產(chǎn)生的薄膜稱為異質(zhì)外延( heteroepitaxial)．