金屬有機(jī)物CVD( MOCVD)是化合物CVD中較新的選擇之一。VPE是化合物淀積系統(tǒng)，GLP-401而MOCVD是指用于VPE和其他系統(tǒng)中的源。在MOCVD工藝中，淀積期望的原子和復(fù)雜的有機(jī)氣體分子結(jié)合，并通過一個(gè)被加熱的半導(dǎo)體晶圓。被加熱的分子破裂，將期望的原子一層一層地淀積在表面上。，它能生長高質(zhì)量的半導(dǎo)體層（薄至lmm的百萬分之一），這些層的晶體結(jié)構(gòu)與襯底可以完美對(duì)齊16。12. 26   M()CVD泵統(tǒng)(源自 : S. K. Chandhi, V/,_S/ Fabrication. Prin,ciple., Wilev-Intersr-ienc-e,1994)

使用兩種化學(xué)物質(zhì)：鹵化物和金屬有機(jī)物。上面描述的在VPE中砷化鎵的淀積就是一種鹵化物工藝。熱區(qū)形成Ill族鹵化物（鎵），冷區(qū)淀積III~V族化合物。在砷化鎵的金屬有機(jī)物阿工藝中，(CH，)，Ga與砷進(jìn)入反應(yīng)室反應(yīng)，形成砷化鎵，反應(yīng)式為

   (CH3)3Ga+AsH3—}GaAs+3CH4

   雖然MBE工藝較為緩慢，但MOCVD工藝能夠滿足批量生產(chǎn)的需要，且適合較大的襯底1引。MOCVD還具有制造化學(xué)成分不同的多層膜的能力。此外，與MBE不同，MOCVD可以在如InGaAsP這樣的器件中淀積磷。采用MOCVD工藝制造的常規(guī)器件有光電陰極、高頻發(fā)光二極管、長波激光、可見激光和橘紅色發(fā)光二極管（見第16章）。

   廣義地講，MOCVD指半導(dǎo)體膜的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積。當(dāng)在氣相外延系統(tǒng)生長外延層時(shí)，使用金屬有機(jī)源，則稱其為MOVPE㈣。應(yīng)用包括III-V族半導(dǎo)體層的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積，對(duì)于基礎(chǔ)研究和器件應(yīng)用，包括GaAs、AIAs、AIGaAs，InGaAs和InP，另外還有JII-V族半導(dǎo)體層的△形摻雜、量子點(diǎn)的生長、量子線、量子阱、摻雜調(diào)制異質(zhì)結(jié)和選擇區(qū)域外延生長201。