硅化學(xué)源：硅烷( SiH。)是第二種常用的硅源。硅烷具有不需要第二種反應(yīng)氣體的優(yōu)點(diǎn)。 HCPL-0611它是通過(guò)受熱分解產(chǎn)生硅原子的。反應(yīng)溫度比SiCl。的反應(yīng)溫度低幾白‘?dāng)z氏度，在自動(dòng)摻雜和晶圓彎曲等方面極具吸引力。硅烷也不會(huì)產(chǎn)生圖形偏移（見(jiàn)下文“外延膜的質(zhì)量”）。遺憾的是，硅烷在反應(yīng)時(shí)，反應(yīng)氣體遍及整個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，形成粉末狀的薄膜而污染晶圓。作為反應(yīng)源，硅烷在多晶硅和二氧化硅的淀積中有著更多的應(yīng)用。

   二氯二氫硅化學(xué)源：二氯二氫硅( SiH2 Cl2)也是一種用于薄外延膜的低溫硅源：較低的溫度可減少自動(dòng)摻雜和在前步工藝擴(kuò)散埋層中的固態(tài)擴(kuò)散，并提供更加一致的晶體結(jié)構(gòu)。

   外延薄膜摻雜：外延薄膜的優(yōu)點(diǎn)之一就是通過(guò)工藝達(dá)到精細(xì)的摻雜和對(duì)摻雜范圍的控制。晶圓制造時(shí)，其濃度可達(dá)到約l0'3~ 10'9原子／CIT13。外延膜的生長(zhǎng)可以從l0'2原子／CIT13到1020原子／CIT13，其上限接近磷在硅中的固態(tài)溶解度。，

   薄膜的摻雜是通過(guò)將摻雜氣流添加到淀積反應(yīng)物中的方式獲取的。糝雜氣體源完全與淀積摻雜反應(yīng)爐內(nèi)使用的化學(xué)物和輸送系統(tǒng)相同。實(shí)際效果是CVD淀積反應(yīng)室轉(zhuǎn)換成摻雜反應(yīng)爐。在反應(yīng)室內(nèi)，摻雜劑與生長(zhǎng)膜相融合，并確定所需的電阻。N型和P型膜能夠在N型或P型晶圓上生長(zhǎng)。雙極技術(shù)中的傳統(tǒng)工藝生長(zhǎng)的外延膜是在P型晶圓上進(jìn)行N型外延膜生長(zhǎng)的。