四氯化硅化學(xué)源：外延層的淀積可選用一些不同的化學(xué)源（見圖12. 28）。在選擇HC256硅的化學(xué)源上，淀積溫度、薄膜質(zhì)量、生長(zhǎng)速率及與特殊系統(tǒng)的兼容性均是考慮的因素。其中，一個(gè)重要的工藝參數(shù)是淀積溫度。溫度越高，生長(zhǎng)速率越快。但過快的生長(zhǎng)速率會(huì)形成較多的晶體缺陷，產(chǎn)生薄膜裂隙和應(yīng)力。較高的溫度也會(huì)造成較高的自動(dòng)摻雜和擴(kuò)散外溢（這砦效應(yīng)在下面的章節(jié)中描述）。

   四氯化硅( SiCl4)是硅淀積中首選的化學(xué)源。它能夠允許高的成形溫度（生長(zhǎng)速率）并具有可逆的化學(xué)反應(yīng)。在圖12．. 28中，雙箭頭表示在一個(gè)方向進(jìn)行反應(yīng)形成的硅原子，而在另一方向上的反應(yīng)將硅去除（刻蝕）。在反應(yīng)室內(nèi)，這兩種反應(yīng)彼此競(jìng)相進(jìn)行。

   最初，硅表面被刻蝕，為淀積反應(yīng)做準(zhǔn)備。第二階段，硅的淀積比刻蝕速率快，產(chǎn)生淀積的薄膜。

   圖12. 29顯示了這兩種反應(yīng)的效果。隨著在氣體流中增加四氯化硅分子的百分比含量，淀積率首先增加。在比率為0.1時(shí)，刻蝕反應(yīng)開始并起主導(dǎo)作用，減慢了生長(zhǎng)速率。起始時(shí)，在反應(yīng)室內(nèi)主要是薄膜的生長(zhǎng)。氯化氫( HCl)氣體通過流量計(jì)進(jìn)入反應(yīng)室，刻蝕掉很薄的一層硅表面，為其后的硅淀積做準(zhǔn)備.