雙極剄晶體管是■個區(qū)、兩結器件，將在第16章中介紹。從電性能方面看，RHRP15120它們町以看成是兩個二極管以背靠背的形式相連接。為了得知雙極型晶體管的特性，人們已經做了許多測試。分別對單結特性進行測試和整個晶體管工作進行測量。探測結的正偏和反偏特性。隨著對整個晶體管的探測，對擊穿電壓(BV)進行測試。

   犖獨結點的測試都標有字母BV，其右下角的小寫字母表明是哪一具體結點。例如：BVm，表示集電極和基極擊穿電壓。字母o表示發(fā)射極開路，即沒有施壓電壓。BV．‰表示集電極和發(fā)射極之間的擊穿電壓，兩個二極管結構的結的正向導通電壓也要被測量。是基極發(fā)射極的正向導通電壓。V．。是基極一集電極的正向導通電壓。探測的是為漏電流而隔離集電極的結。

   雙極型晶體管的一個主要的電性能測量是口值（增益）的測量（見圖14. 38）。這是對晶體管放大性能的測量。在雙極型晶體管中，從發(fā)射極到集電極流過的電流，通過基極（見第16章）。改變基極電流以改變基區(qū)電阻。集電極流出（從發(fā)射極到基極）的電流量由基極電阻來調整。

    圖14. 38    NPN晶體管的口測量

   晶體管的放大定義為：集電極電流除以基極電流，即為屆。因此p等于10意味著1 mA的基極電流將產生10 mA的集電極電流。晶體管的口由結的深度、結的分離情況（基極寬度）、摻雜等級、濃度分布和其他許多工藝和設汁參數來決定。通過變化BV。。的測量進行屆值測量。在一特定的基極電流下測量BV．。，的值。在這種模式中，發(fā)射極一基極結處于正向偏置。

   晶體管的集電極特性可通過示波器屏幕顯示出來。幾乎水平的直線表示增長的基極電流值（IB，、IB2等），隨著基極電流的增長，產生了相對應的集電極電流。通過屏幕上顯示的數據來計算口值。

   集電極電流由縱軸（虛線）決定�；鶚O電流等于水平直線（步距）總數與每步（來自示波器）之值的乘積。