雙極剄晶體管是■個(gè)區(qū)、兩結(jié)器件，將在第16章中介紹。從電性能方面看，RHRP15120它們町以看成是兩個(gè)二極管以背靠背的形式相連接。為了得知雙極型晶體管的特性，人們已經(jīng)做了許多測(cè)試。分別對(duì)單結(jié)特性進(jìn)行測(cè)試和整個(gè)晶體管工作進(jìn)行測(cè)量。探測(cè)結(jié)的正偏和反偏特性。隨著對(duì)整個(gè)晶體管的探測(cè)，對(duì)擊穿電壓(BV)進(jìn)行測(cè)試。

   犖獨(dú)結(jié)點(diǎn)的測(cè)試都標(biāo)有字母BV，其右下角的小寫字母表明是哪一具體結(jié)點(diǎn)。例如：BVm，表示集電極和基極擊穿電壓。字母o表示發(fā)射極開路，即沒有施壓電壓。BV．‰表示集電極和發(fā)射極之間的擊穿電壓，兩個(gè)二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)的正向?qū)妷阂惨粶y(cè)量。是基極發(fā)射極的正向?qū)妷骸?/span>V．。是基極一集電極的正向?qū)妷�。探測(cè)的是為漏電流而隔離集電極的結(jié)。

   雙極型晶體管的一個(gè)主要的電性能測(cè)量是口值（增益）的測(cè)量（見圖14. 38）。這是對(duì)晶體管放大性能的測(cè)量。在雙極型晶體管中，從發(fā)射極到集電極流過的電流，通過基極（見第16章）。改變基極電流以改變基區(qū)電阻。集電極流出（從發(fā)射極到基極）的電流量由基極電阻來(lái)調(diào)整。

    圖14. 38    NPN晶體管的口測(cè)量

   晶體管的放大定義為：集電極電流除以基極電流，即為屆。因此p等于10意味著1 mA的基極電流將產(chǎn)生10 mA的集電極電流。晶體管的口由結(jié)的深度、結(jié)的分離情況（基極寬度）、摻雜等級(jí)、濃度分布和其他許多工藝和設(shè)汁參數(shù)來(lái)決定。通過變化BV。。的測(cè)量進(jìn)行屆值測(cè)量。在一特定的基極電流下測(cè)量BV．。，的值。在這種模式中，發(fā)射極一基極結(jié)處于正向偏置。

   晶體管的集電極特性可通過示波器屏幕顯示出來(lái)。幾乎水平的直線表示增長(zhǎng)的基極電流值（IB，、IB2等），隨著基極電流的增長(zhǎng)，產(chǎn)生了相對(duì)應(yīng)的集電極電流。通過屏幕上顯示的數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算口值。

   集電極電流由縱軸（虛線）決定�；鶚O電流等于水平直線（步距）總數(shù)與每步（來(lái)自示波器）之值的乘積。