MOS電路通常由電阻器、RHRP1560二極管、電容器和晶體管組成。前3個器件的測量方法與測量雙極型晶體管電路的方法相同。和雙極型晶體管一樣，MOS晶體管也由3個源構(gòu)成，即源極、漏極和柵極（見圖14. 39和第16章）。這種晶體管需要測量決定正偏與反的漏一源結(jié)點的電壓值。通過測試柵極閾值電壓來確定柵極的功能。

   MOS晶體管源極常被置于正偏。由于柵極的高的電阻率，正向電流不會到達(dá)漏極。，而當(dāng)柵極電壓超過一特定電壓值（閾值）時，在柵極區(qū)下將產(chǎn)生充足的電荷形成導(dǎo)電溝道，并使源、漏極導(dǎo)通。，每個MOS晶體管都設(shè)計有特定的閾值電壓。可用電容一電匿技術(shù)對其進(jìn)行測量、，不斷增加?xùn)艠O電壓的同時便可監(jiān)測到柵結(jié)構(gòu)電容的變化。

   電容器是一種存儲器件。初始，在測量的電壓增長的過程中，電容并沒有變化。當(dāng)?shù)竭_(dá)閾值電壓時，反型層開始形成并起到如同一個電容器的作用。兩個串聯(lián)在一起的電容的電容量比它們的和要小，所以它會成為一個較低電容量的電容。MOS晶體管也具有放大特性．其增益定義為源極電流除以柵極電壓。隨柵極電壓而變化的源漏特性（見圖14. 40）。