平移量與氧化膜層中的可動離子污染物的數(shù)量、氧化膜厚度和晶圓摻雜有關(guān)。REF102AP電容一電壓分析，只能得到其值，并不能區(qū)分氧化膜層的污染元素（鈉、鉀、鐵等），也不能決定污染物的來源。這些污染物有可能來自晶圓表面、某一清洗步驟、氧化爐管、蒸發(fā)工藝、合金爐管或晶圓已經(jīng)經(jīng)歷的其他任何工藝。

   在考慮變換工藝流程，例如清洗工藝，是否會對晶圓造成污染時，通常要進(jìn)行電容一電壓分析。為便于分析，通常把需要做電容一電壓分析的晶圓分成兩組。一組按前面講的正常步驟來進(jìn)行；第二組通常在氧化層與鋁層之間加上一個新的清洗工藝然后進(jìn)行測試。將得到的兩個平移電壓進(jìn)行比較，可見新的工藝增加了移動離子，會造成晶圓污染。

   可接受的電容一電壓漂移通常在0.1—0.5 V之間，取決于做在晶圓上的器件的敏感性。在制造領(lǐng)域電容一電壓分析已成為一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)測試�？稍谌魏巫兓墓に囋O(shè)備維護(hù)或清洗等可能產(chǎn)生污染之后進(jìn)行。電容一電壓曲線還提供了許多其他的有用信息，例如帶電壓和表面狀態(tài)。柵氧化層的厚度也可以通過電容一電壓吐線進(jìn)行測試得到。