非接觸電容一電壓測量：REF200AU前面介紹的電容一電壓曲線檢測需要十分苛刻的準(zhǔn)備工作，包括時間消耗和原材料消耗。另一種決定電壓漂移和其他MOS晶體管柵極參數(shù)的非接觸法稱為COS（光環(huán)一氧化物一半導(dǎo)體）（見圖1。MOS晶體管方法需要兩個被柵氧化層分離的電極。上極板的電極電壓在金屬一氧化層界面產(chǎn)生了許多電荷。用光環(huán)源（COS中的C）在氧化層表面直接產(chǎn)生電荷會得到同樣的結(jié)果。這樣去增加電壓也會得到與電容一電壓測試法相同的晶體管信息、電荷（漂移）、平帶電壓、表面狀態(tài)和氧化層厚度。這種方法與標(biāo)準(zhǔn)測量相符.

   囂件失效分析一發(fā)射顯微鏡

   當(dāng)一個半導(dǎo)體器件工作時，會釋放某種可見光。當(dāng)有問題存在時，光斑會出現(xiàn)在有問題的地方。例如，當(dāng)表面結(jié)點(diǎn)上有亮點(diǎn)時，表明污染物導(dǎo)致了結(jié)漏電。由敏感探測器和電荷耦合器件(CCD)構(gòu)成的顯微鏡能查出出現(xiàn)問題的地方，并拍下照片。當(dāng)電子測量表明電路失效時，這種方法尤其適用，但這只能查出電路的問題塊，而不能指出造成電路失效的具體器件。

   學(xué)習(xí)完本章后，你應(yīng)該能夠：

   1．解釋電阻、電阻率和方塊電阻的區(qū)別。

   2．畫出四探針測試儀的部件和電流流向示意圖。

   3．比較在測量薄膜厚度時，彩色干涉、條紋計(jì)算、分光光度計(jì)、橢偏儀和觸針的原理及用途的不同。

   4．比較在測量結(jié)深時，刻槽和染色、掃描電鏡和擴(kuò)散電阻的原理及用途的不同。

  5．列出用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡檢查晶圓表面的方法和優(yōu)點(diǎn)。

   6．廁出二極管正向偏置和反向偏置的示意圖及與之相對應(yīng)的電壓一電流曲線。

  7．解釋關(guān)于PN結(jié)性能特性的表面漏電流效應(yīng)。

  8．畫出雙極型晶體管和MOS晶體管工作原理示意圖，并畫出相應(yīng)的電壓一電流特性曲線。

  9．列出電容一電壓測量的步驟和污染檢測的原理。

  10.描述原子力顯微鏡的原理及用途。