摻雜型電阻器：集成電NCP4894DMR2G路中的大多數(shù)電阻器都是由氧化、掩膜和摻雜工藝順序生成的（見圖16.2）。在氧化層表面生成一個(gè)圖形。典型的電阻器是啞鈴形的（見圖16.3）。兩端的矩形作為接觸區(qū)，中間細(xì)長(zhǎng)的部分起到電阻器的作用。用這個(gè)區(qū)域的方塊電阻和其所包含的方塊的數(shù)量就可以計(jì)算出這個(gè)區(qū)域的阻值。方塊的數(shù)量等于電阻區(qū)域的長(zhǎng)度除以寬度。

   在摻雜和隨后的再氧化工藝結(jié)束后，兩端的矩形區(qū)域刻蝕出接觸孔以便將電阻器連接到電路中。一個(gè)電阻器有兩個(gè)接觸點(diǎn)，是沒有結(jié)的器件。術(shù)語(yǔ)no-junction的含義是電流在兩個(gè)接觸區(qū)之間流動(dòng)，而沒有穿越NP結(jié)或PN結(jié)。然而結(jié)可以起到限制流經(jīng)電阻區(qū)域電流的作用。

   由離子注入進(jìn)行摻雜而生成的電阻器比那些在擴(kuò)散區(qū)域生成的電阻囂的阻值更容易控制。摻雜型電阻器可以在整個(gè)制造工藝中的任何一個(gè)摻雜步驟中生成。一個(gè)基于雙極型的掩膜就會(huì)有基本圖形和一套電阻器的圖形。在MOS電路生成源極和漏極的摻雜步驟中，同時(shí)也生成電阻器。電阻器的摻雜參數(shù)（方塊電阻、深度和摻雜量）與晶體管是一樣的。在這些方案中，晶圓上其他所有芯片器件（層）被做完后，形成電阻器的接觸孔。