外延層( EPI)電阻器：一個電NCP5603MNR2G阻器可以通過隔離一部分外延層區(qū)域來形成（見圖16.4）。在表層氧化和掩膜生成接觸孔后，剩下的是具有電阻器功能的三維區(qū)域。

   擠壓( Pinch)電阻器：歐姆定律表明電阻器的橫截面積是決定其阻值的一個因素(見圖16.5)。一種縮小橫截面積（并增加電阻值）的方法是先在電阻器區(qū)域進行摻雜，然后再進行一次具有相反傳導(dǎo)特性的摻雜。這種情形通常發(fā)生在雙極型工藝中，先通過發(fā)射淀積形成一個N型區(qū)域，此區(qū)域橫界面為鉗形( pinched)，隨后在此區(qū)域再進行一次P型摻雜來生成最終的電阻器區(qū)域。

  薄膜電阻器：摻雜型電阻器并非總能滿足一些電路對電阻控制的要求，同時輻射環(huán)境對其性能影響很大�？臻g中存在的各種輻射會在電阻器區(qū)域產(chǎn)生我們不想要的空穴和電子，使結(jié)發(fā)生漏電流。由金屬薄膜淀積生成的電阻器不存在這種因輻射產(chǎn)生的問題。

   圖16.6所示的電阻器或者按照薄膜淀積、掩膜的工藝順序生成，或者由剝離( lift-off)技術(shù)生成。當(dāng)電阻器在芯片金表面生成后，通過與其兩端接觸的導(dǎo)電金屬線連接到電路中。鎳合金、鈦、鎢等是構(gòu)成電阻器的典型金屬。