電阻器有限制電流的作用。NCP2820MUTBG這可以通過使用介電材料或半導(dǎo)體芯片表面的高電阻部分來實(shí)現(xiàn)。在半導(dǎo)體技術(shù)中，電阻器是在芯片表面、摻雜區(qū)和淀積薄膜的隔離部分上生成的：

   電阻器的阻值（以歐姆為單位）是電阻器的電阻率和萁尺寸的函數(shù)（見圖16.1），其關(guān)系式為：

   R= pLA

   其中：p-電阻率

   L一電阻區(qū)域的長度

   A-電阻區(qū)域的截面面積

   面積(A)變成了WxD，其中形為電阻器的寬度，D為電阻區(qū)域的深度。對于摻雜型電阻器，長和寬是表面開口圖形的長和寬，深是結(jié)的深度。

   圖16.1  電阻值與電阻率和截面積的關(guān)系

   很明顯，每一個(gè)摻雜區(qū)域也是一個(gè)電阻器且電流量仍然遵循電阻器的基本公式。一個(gè)導(dǎo)體簡單意義上只是低電阻率的電阻器。歐姆定律概念上最重要的內(nèi)容是器件或電路上任何區(qū)域的電阻隨這個(gè)區(qū)域尺寸或摻雜程度（電阻率）的變化而變化。