氧化硅一硅電容器：NE5532硅平面技術(shù)的基礎(chǔ)是在硅晶圓上生長一層二氧化硅膜。金屬導(dǎo)線位于二氧化硅上面，就形成了一個簡單的電容器（見圖16.7）�；仡櫼幌�，電容器是由夾在兩個電極之間一個介質(zhì)層構(gòu)成的。這事實上就是MOS電容器結(jié)構(gòu)。然而，為了使這種結(jié)構(gòu)能發(fā)揮電容的作用，氧化物必須足夠�。ù蠹sisoo A[l]）。上面的電極稱為電池板(cellplate)，下面的電極稱為存儲結(jié)(storage node)。

   電容器是一個儲存電荷的器件。一個電池就是一個電容器。當(dāng)在金屬板上加上電壓后，氧化層下面晶圓表層就會右電荷積累（見圖16.7）。其電荷量是氧化層的厚度、氧化層的介電常數(shù)及其面積的函數(shù)，面積是由其上方的金屬板的面積決定的。這種結(jié)構(gòu)的電容被稱為平行板電容器、單片電容器或MOS電容器（在金屬氧化物材料被用在三明治結(jié)構(gòu)中以后）。

   在密集的集成電路中，我們用一種類似于三明治的氧化物一氮化物一氧化物( Oxide-Nitride -Oxide，ONO)作為介電質(zhì)。這種合成后的薄膜有較低的介電常數(shù)，從而使電容器面積比傳統(tǒng)的二氧化硅電容器要小。在有些電路中，專門形成電容器以存儲電荷然而，只要金屬線位于一層硅上（或其他半導(dǎo)體材料上）的介質(zhì)層上，就構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)。在這種情況下，該電容器不應(yīng)存儲電荷，這些電荷會干擾電路的工作。在這種情況下，介質(zhì)層要足夠厚以防止該電容器存儲電荷，或使用低后介質(zhì)材料（見第12章）。