結(jié)電容器：在器件中，每個(gè)結(jié)都是一個(gè)電容器。當(dāng)每個(gè)結(jié)的兩邊被加上電壓時(shí)，載流子NE555DR就會離開結(jié)，形成耗盡區(qū)（見圖16.8）。在器件和電路中，這種耗盡區(qū)就起到了電容器的作用。

   圖16.7單片電容器    圖16.8耗盡層結(jié)電容器

   在設(shè)計(jì)電路時(shí)，必須考慮結(jié)電容效應(yīng)。實(shí)際上，在一些電路中就把結(jié)電容作為電路設(shè)計(jì)的一部分。這種自煞的結(jié)電容有降低電路運(yùn)行速度的效應(yīng)，這是因?yàn)楹谋M區(qū)在有電流流過之前需要一定的時(shí)間來“充滿”（或稱為充電）電容器。不同的結(jié)電容需要不同的時(shí)間來放電，這些充放電的時(shí)間影響著電路的開關(guān)和運(yùn)行速度。溝槽電容器：對于晶圓表面的節(jié)省一直是電路設(shè)計(jì)的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。金屬一氧化物電容器的一個(gè)問題就是它的面積相對比較大。而溝槽（隱埋）電容器可以解決這個(gè)問題。它是通過把溝槽豎直刻蝕到晶圓的表面從而形成電容器來實(shí)現(xiàn)的（見圖16.9）。對于溝槽的刻蝕可以用濕法技術(shù)（各向同性）或者干法技術(shù)（各向異性）。溝槽的側(cè)壁被氧化（介質(zhì)材料），同時(shí)溝槽內(nèi)部則填滿了沉積的多晶硅。最終形成由硅和多晶硅作為兩個(gè)電極，二氧化硅作為它們之間介電質(zhì)的線狀結(jié)構(gòu)。可以用其他介質(zhì)材料替換二氧化硅以增加性能。