堆疊電容器：另一種節(jié)NJ1030AUS省晶圓表面面積的方法是在晶圓表面形成“堆疊電容器”( stacked capacitor)。動態(tài)隨機存儲器( DRAM)對于小的高介電質的要求促進了這項技術的發(fā)展，它的每個單元的存儲部分都是一個電容器。在動態(tài)隨機存儲器( DRAM)單元內，下端的電極通常是多晶硅或半球形晶粒多晶硅( HSG)。電容器可以是平面狀、圓筒狀或魚鰭狀引。

   一個典型的結構如圖16.9所示。電容器的介質材料通常會考慮用Taz Os和BaSrTi03（或稱BST）。后者是鐵電( ferroelectric)村料。31。鐵電材料指的是含鐵的物質，在電子學領域它與傳統(tǒng)的硅匹配的材料相比，有更高速度的介電質。另一種鐵電材料是PbZ．03或PZT。

   上端的電極材料可以是TiN，WN．Pt，多晶硅或其他半導體材料中的一種。