摻雜二極管：二極管是指被結(jié)分開而形成兩個區(qū)域的器件。二極管既可以使電流通過也可以起到阻止電流流動的作用。二極管的功能由電壓的極性來決定，NJ1030U8這稱為偏置( biasing)（見圖16. 10）。當(dāng)電壓方向與二極管區(qū)域一致時，二極管處于正向偏置狀態(tài)，此時電流易通過二極管。當(dāng)極性相反時，二極管處于反向偏置，電流被阻止而不能通過二極管，如果不斷增加電壓，達(dá)到二極管的擊穿電壓( breakdown)后，反向二極管也可以導(dǎo)通電流。但這種情況是暫時的，當(dāng)電流減小時，二極管又恢復(fù)了原來的反向阻止電流流動的功能（見第14章）。二極管在電路中起到掌握電流流動方向的作用。通過正確地選擇電流的極性和二極管的極性，可以允許電流通過一些支路，也可以阻止電流通過另一些支路。平面二極管就是一個摻雜區(qū)，結(jié)的兩邊有兩個接觸區(qū)（見圖16. 11）。二極管通常是在晶體管摻雜步驟形成的。困而在雙極型電路中通常都有一個基極集電極二極管和一個發(fā)射極一基極二極管。在MOS電路中，大部分二極管都是在源一漏摻雜步驟中形成的。

   肖特基勢壘( Schottky barrier)二極管：1938年（晶體管誕生的前十年），W. Schottky[4]發(fā)現(xiàn)金屬只要和輕摻雜的半導(dǎo)體接觸，就會形成二極管（見圖16. 12）。這種二極管有更快的正向時間（它的反應(yīng)速度更快），而且與摻雜硅的二極管相比，它有更低的工作電壓。金屬與高摻雜區(qū)（每立方厘米有5×l017個原子）的接觸就是通常的“歐姆接觸”。硅電路中大部分接觸都是這種情況。一些NPN雙極型電路就利用了Schottky二極管效應(yīng)。這種結(jié)構(gòu)和效應(yīng)會在雙極型晶體管部分介紹。