芯片在其整個(gè)使用壽命內(nèi)對(duì)污染物影響導(dǎo)致的易損性將長(zhǎng)期存在。TMS320DM642AZDK6雖然封裝區(qū)域?qū)崈?/span>度水平的要求遠(yuǎn)不如晶圓生產(chǎn)區(qū)域要求高（見(jiàn)第4章）。高可靠性芯片的生產(chǎn)區(qū)域通常來(lái)講需要更高的潔凈度。實(shí)際七，許多公司都意識(shí)到如果污染物控制的方案效果不好，其產(chǎn)品是注定要失敗的。因此，更多的封裝區(qū)域?qū)嵭辛朔浅?yán)格的控制，尤其是對(duì)化學(xué)品和人體產(chǎn)生的顆粒物的控制。

   在封裝區(qū)域內(nèi)來(lái)自于外界環(huán)境的最致命危害是靜電。在晶圓生產(chǎn)的凈化間內(nèi)，對(duì)靜電的控制主要是防止顆粒物被吸附到晶圓的表面。這同時(shí)也是封裝區(qū)域所關(guān)心的一個(gè)話題。但最-/f的還是靜電放電(electrostatic discharge)問(wèn)題，或稱(chēng)為ESD。靜電累積可以產(chǎn)生高達(dá)數(shù)萬(wàn)伏的電壓。，如果如此高的電壓突然在芯片表面放電，會(huì)輕易地將電路部分損壞。金屬氧化物半導(dǎo)體( MOS)柵電路結(jié)構(gòu)尤其易受靜電放電的損害。圖18. 10列舉了封裝區(qū)域常見(jiàn)的靜電控制的實(shí)施方案。

   每個(gè)生產(chǎn)高集成度蒼片的封裝區(qū)域應(yīng)有一套切實(shí)有效的防靜電方案（見(jiàn)圖18. 11）。防靜電方案的實(shí)行包括生產(chǎn)操作員配戴接地的腕帶和無(wú)靜電工作服；使用防靜電材料的搬運(yùn)載體；搬運(yùn)產(chǎn)品時(shí)用升降式設(shè)備而不用推拉式設(shè)備；生產(chǎn)設(shè)備，工作臺(tái)面及地板墊均接地。減少靜電的其他方法還有在氮?dú)夂涂諝饣旌蠚獾臍鈽屔希ㄒ?jiàn)圖18. 12），以及在從高效微�？諝�( HEPA)過(guò)濾器的濾芯中流出的空氣通道上安裝電離器。