局部氧化隔離工藝( LOCOS)： 種MOS器件之間隔離的r藝，這種l：藝將包圍在器件周圍小DLW21SN900SQ2L被氮化硅保護(hù)的硅層氧化，然后將作為保護(hù)層的氮化硅去除，使器件牛長的硅暴露出來低壓化學(xué)氣相淀積( LPCVD)：  一種在低壓環(huán)境下進(jìn)行化學(xué)氣相淀積L藝的系統(tǒng)．大規(guī)模集成電路(LSl)：表示器件集成度在5000~100 000個(gè)之間的集成電路、多數(shù)載流子( majority carrier)：在、#導(dǎo)體材料L}，f與有優(yōu)勢的載流f（自由電子或窄穴），例如在N掣半導(dǎo)體中的自豐電F光刻掩模版( mask)：在光刎r藝中使用的一種表面被各種圖案覆蓋的玻璃板，每個(gè)圖案都包含自‘不透明和透明的部分，用來阻擋和允許光線通過，每一塊光刻掩模版都會fj品圓Ii原有的l刳案對準(zhǔn)，通過光線的透射來對光刻膠進(jìn)行曝光光刻掩模版}：圖案的制作材料町以足乳劑、鉻、氧化鐵、硅或者是其他的不透光的材料光刻( masking)：參見patterning。

   存儲器（memory）：存儲數(shù)據(jù)的器件、金屬光刻( metal mask)：在晶圓表面留下一片獨(dú)立導(dǎo)體材料的工藝程序金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延淀積（或金屬有杌氣相外延）( metalorganic CVD)：  一·種使用鹵化物 和金屬有機(jī)物的氣相外延生長。微機(jī)械電子系統(tǒng)( MEMS)：使用半導(dǎo)體制造工藝制造微�。�納米級）機(jī)器。