局部氧化隔離工藝( LOCOS)： 種MOS器件之間隔離的r藝，這種l：藝將包圍在器件周圍小DLW21SN900SQ2L被氮化硅保護的硅層氧化，然后將作為保護層的氮化硅去除，使器件牛長的硅暴露出來低壓化學氣相淀積( LPCVD)：  一種在低壓環(huán)境下進行化學氣相淀積L藝的系統(tǒng)．大規(guī)模集成電路(LSl)：表示器件集成度在5000~100 000個之間的集成電路、多數(shù)載流子( majority carrier)：在、#導體材料L}，f與有優(yōu)勢的載流f（自由電子或窄穴），例如在N掣半導體中的自豐電F光刻掩模版( mask)：在光刎r藝中使用的一種表面被各種圖案覆蓋的玻璃板，每個圖案都包含自‘不透明和透明的部分，用來阻擋和允許光線通過，每一塊光刻掩模版都會fj品圓Ii原有的l刳案對準，通過光線的透射來對光刻膠進行曝光光刻掩模版}：圖案的制作材料町以足乳劑、鉻、氧化鐵、硅或者是其他的不透光的材料光刻( masking)：參見patterning。

   存儲器（memory）：存儲數(shù)據(jù)的器件、金屬光刻( metal mask)：在晶圓表面留下一片獨立導體材料的工藝程序金屬有機化學氣相外延淀積（或金屬有杌氣相外延）( metalorganic CVD)：  一·種使用鹵化物 和金屬有機物的氣相外延生長。微機械電子系統(tǒng)( MEMS)：使用半導體制造工藝制造微�。{米級）機器。