在繼續(xù)余下的操作前， TMS320DM6437ZWT7芯片會(huì)經(jīng)過一道光學(xué)檢查儀。我們最關(guān)心的是芯片邊緣的質(zhì)量，不應(yīng)有任何崩角和裂紋。此工藝還可以分揀出表面的不規(guī)則性，例如表面劃痕和污染物。挑選出損傷的芯片口j．以節(jié)省封裝失效芯片的費(fèi)用和時(shí)間。

   貼片有幾個(gè)目的：在芯片與封裝體之間產(chǎn)生很牢固的物理性連接，在芯片與封裝體之間產(chǎn)生傳導(dǎo)性或絕緣性的連接，作為一個(gè)介質(zhì)把芯片上產(chǎn)生的熱傳導(dǎo)到封裝體上。芯片倒裝焊封裝沒有貼片步驟。

   對(duì)貼片鍵合的要求是其永久的結(jié)合性。此結(jié)合不應(yīng)松動(dòng)或在余下的流水作業(yè)中變壞或在最終的電子產(chǎn)品使用中失效。尤其是對(duì)虛用于很強(qiáng)的干擾下，如火箭中的器件，此要求顯得格外重要。此外，貼片材料的選用標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)為無污染物和在余下的流水作業(yè)的加熱環(huán)節(jié)中不會(huì)釋放氣體。最后，此工藝本身還應(yīng)該產(chǎn)能高且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠，，

   共晶貼片技術(shù)：有兩種最主要的貼片技術(shù)：共晶( eutectic)法和環(huán)氧樹脂(epoxy)黏結(jié)法．，共晶法的得名是基于如下物理現(xiàn)象：當(dāng)兩種材料融合（合金）在一起時(shí)它的熔點(diǎn)會(huì)低于原先每個(gè)單獨(dú)的材料各自的熔點(diǎn)。對(duì)于貼片工藝，這兩種材料分別是金和硅（見圖18. 18）。金的熔點(diǎn)是1063℃，而硅在1415℃下熔化。當(dāng)兩種材料混在一起時(shí)，它們會(huì)在3800C的溫度下開始形成合金。金 會(huì)被鍍到貼片區(qū)，然后在加熱的條件下與芯片底部的硅形成合金。

   金對(duì)貼片工藝來說很像三明治的夾心層。芯片部的貼片區(qū)域被沉積或被鍍上一層金。有時(shí)會(huì)在貼片區(qū)沉積或鍍上一層金與硅組成合金膜。當(dāng)加熱時(shí)，這兩層膜在晶圓背面和管殼之間形成一層薄的合金膜。

   共晶貼片法需要4步。第一步是對(duì)封裝體加熱，直至金一硅合金融化成液體。第二步把芯片安放在貼片區(qū)。第三步研磨，稱為“擦磨法”，將芯片與封裝體的表面擠壓在一起。正是在這一步，在加熱的條件下形成r金硅共晶合金膜．j第四步即最后一步是冷卻整個(gè)系統(tǒng)，這樣就完成，芯片與封裝體的物理性與電性的連接。

   共晶貼片法可以人工來完成或使用能完成這4步操作的自動(dòng)化設(shè)備。金一硅共晶貼片法以其強(qiáng)的黏合性，良好的散熱性，熱穩(wěn)定性和含較少的雜質(zhì)等特性備受高可靠性器件封裝業(yè)的青睞。