為實(shí)現(xiàn)在一個(gè)封裝體內(nèi)堆疊多個(gè)芯片而達(dá)到高度小和占面積小的目標(biāo)，FMB2222A開發(fā)出了許多先進(jìn)的封裝技術(shù)。在封裝中，通過凸點(diǎn)或焊球技術(shù)，在傳統(tǒng)的晶圓制造過程結(jié)束時(shí)，芯片_[：芯片鍵合被用于晶圓（見18.3.7節(jié)的晶圓級(jí)封裝）。其次是用化學(xué)機(jī)械拋光減薄晶圓，并使用拋光工藝到亞100 ym的范圍。在這個(gè)厚度晶圓容易破碎和卷曲。解決辦法是在劃片之前將薄的芯片附著到晶圓背面的貼膜( attach film)上。一般來說，用環(huán)氧樹脂將底部芯片黏結(jié)在封裝體上，以適應(yīng)封裝體貼片區(qū)域的任何不均勻性。

   混合型電路

   混合型電路是一項(xiàng)老技術(shù)但長期被軍方和惡劣環(huán)境下的應(yīng)用所鐘愛。混合型( hydrid)指的是由固態(tài)和常規(guī)無源電子器件（電阻、電容）混合地出現(xiàn)在同一電路中。混合型電路有一個(gè)襯底，在襯底上安裝有標(biāo)準(zhǔn)電路和半導(dǎo)體器件。器件的連接是由安裝于絕緣襯底表面上的具有傳導(dǎo)性或有阻抗的厚膜線路來實(shí)現(xiàn)的。這些線路的成型是靠含有適當(dāng)過濾器的絲印墨水印制在厚膜上形成的，或是由薄膜的蒸發(fā)或噴濺到厚膜表面，同時(shí)使用光刻技術(shù)而得到的。大多數(shù)混合型襯底是陶瓷。高性能混合型器件的襯底可以使用氮化鋁( AIN)、碳化硅(SiC)、單獨(dú)或混合型的鉆石襯底12。

   混合型電路帶來的優(yōu)崽是結(jié)構(gòu)上的堅(jiān)固和由于陶瓷的密封特性而導(dǎo)致的器件間很少的密封泄漏�；旌闲碗娐房梢允且粋�(gè)由CMOS、雙極型和其他器件混合組成的電路和提供ASIC電路所不具備的功。

   不利的方面是此類電路通常比其他集成電路有更低的密度和更高的成本。