硅通子L技術(shù)：除了芯片面對面的凸點(diǎn)／焊球鍵合和從頂層芯片到下面芯片（芯片塊）的引線鍵合外，FM24C256-G還有一種硅通孔( TSV)技術(shù)。這個概念很簡單，在晶圓創(chuàng)建從頂?shù)降椎亩矗ㄍ?/span>孔），，使用光刻／刻蝕和等離子刻蝕�？稍诰圃旃に嚨那岸�( FEOL)或后端(BEOL)過程中創(chuàng)建通孔（見圖18. 44）。

   圖18. 44硅通孔技術(shù)示意圖（源自：Tessara）

   內(nèi)插結(jié)構(gòu)：內(nèi)插結(jié)構(gòu)( interposer)是中間疊層或襯底，允許在封裝體內(nèi)芯片之間或芯片與封裝體連接之間有一個額外的連接平面（或多個平面）（見圖18. 45）。它們還可以給封裝體提供硬度。有機(jī)內(nèi)插結(jié)構(gòu)是具有穿通孔導(dǎo)體的疊層制成的。剛性的內(nèi)插結(jié)構(gòu)通常是由環(huán)氧樹脂材料制成的，而柔性的內(nèi)插結(jié)構(gòu)是由樹脂制成的�！璱。硅片通過硅通孔作為內(nèi)插器。在一些方案中，硅片通過硅通孔作為內(nèi)插結(jié)構(gòu)。