3D封裝(3D package)：在一個FMS6143CSX封裝體內(nèi)堆疊和連接麗個以七芯片。

   川-V族半導(dǎo)體材料(…-V semiconductor material)：由元素周期表的第III和第V族元素組成的半導(dǎo)體材料.

   II-VI族半導(dǎo)體材料(II-VI semiconductor material)：由元素周期表的第1I和第VI族元素組成的半導(dǎo)體材料。

受主( acceptor)：一種半導(dǎo)體材料中的雜質(zhì)。接受價帶電子，從而在價帶中留下“空穴”的行為就像JE電性的載流子，亦稱P型載流子。空氣傳播的分子污染( airborne molecular contamination)：在凈化間空氣中存在的空氣傳播的分f污染光刻機（對準和曝光）[ aligner( align and expose)]：-種工藝設(shè)備，用來將晶圓和掩模版或放大掩模版對準，并使光刻膠在紫外線或其他輻射源下曝光。

對準( alignment)：參見掩模版或放大掩模版相對于晶圓的定位。

對準標記( alignment mark)：在晶圓和掩模版七用來正確對準的目標合金( alloy)：(1)兩種金屬的合成物；(2)在半導(dǎo)體工藝中，合金化步驟引起半導(dǎo)體材料和在其f：的材料的柏互擴散，形成兩者間的歐姆接觸。鋁(Al)：半導(dǎo)體工藝中使用最多的金屬。用來形成芯片E的各器件之間的連接。可以通過蒸發(fā)或濺射I：藝制備．非晶體( amorphous)：原子旱無序排列的材料，如塑料。

放大光刻膠( amplified resist)：用增加化學(xué)品增強化學(xué)反應(yīng)的光刻膠。

   埃(A)：長度單位，l埃等于l¨m的萬分之-(10。4¨m)，或100 000 000 A=i cm。各向異性( anistropic)：刻蝕的一種工藝，不會或很少造成鉆蝕。退火( anneal)：-種高溫I：藝過程（通常是最后一步）。用來將晶圓晶格結(jié)構(gòu)中的應(yīng)力降至最低，、銻(Sb)：元素周期表中第V族元素。在硅中是N型摻雜，經(jīng)常作為掩埋層的摻雜物。防反射涂層(ARC)：在曝光過程中為r減少反射，在晶圓表面增加的一層化學(xué)涂層。砷(As)：元素周期表中第v族元素．、是硅中的N型摻雜物。封裝( assembly)：芯片制造后的一系列工序。、將晶圓分割成單個的芯片，并安放和連接到一 個封裝體上J。