電子束曝光系統(tǒng)
發(fā)布時間:2015/11/17 19:17:29 訪問次數(shù):548
電子束曝光系統(tǒng)( electron-beam exposure system):一種曝光設(shè)備,將圖形DH2X61-18A模式儲存在計算機中,用米控制靜電板,繼而調(diào)整電子束方向,可在不使用掩模版的情況下產(chǎn)生電路圖形邊緣頭( edge bead):在旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠工藝中,在晶圓的邊緣堆起的頭狀。邊緣芯片( edge die):晶圓邊緣不完整的芯片。電可擦除可編程存儲器( electrically erasable PROM):-種存儲路,具有通過電脈沖清除數(shù)據(jù)并再接受新信息的能力,電遷徙( electromigration):電路T作時,電子在導(dǎo)線中的電場下擴散的現(xiàn)象。、往往發(fā)牛在鋁
膜導(dǎo)線中并表現(xiàn)為電路失效而非工藝缺陷。金屬導(dǎo)線會變薄直至斷開,引起電路開路,、電子( electron):原子中圍繞原子核旋轉(zhuǎn)的帶電粒子。,可與其他原子中的電子配合成鍵,也町以從原子中失去使原子變成離子。
橢偏儀( ellipsometer):利用瀲光做光源測量薄膜厚度的儀器·二發(fā)射極( emitter):(1)晶體管中的區(qū)域,作為載流子源或輸入端;(2)通常使用磷做的N型打 散過程形成NPN型晶體管的發(fā)射極,PNP晶體管的基區(qū)接觸,NPN晶體管的N+接觸,以及低阻值電阻,延( epitaxial):(希臘語“置于其上”)在單晶襯底上生長單晶半導(dǎo)體薄膜?外延層與襯底材料的晶格特性相同,環(huán)氧封裝體( epoxy package):參見壓塑封裝體。
可擦除可編程存儲器( erasable PROM):具有清除數(shù)據(jù)并再接受新信息能力的存儲電路,刻蝕( etch):去除特定區(qū)域材料的T藝過程。往往通過濕法或干法的化學(xué)反應(yīng),或者物理方法,如濺射刻蝕實現(xiàn)蒸發(fā)( evaporation):通過加熱將某種材料(通常是金屬或金屬合金)從固態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài),并淀積療:晶惻表面的藝。半導(dǎo)體1藝中常使用電子束或燈絲式加熱蒸發(fā)的方法.
電子束曝光系統(tǒng)( electron-beam exposure system):一種曝光設(shè)備,將圖形DH2X61-18A模式儲存在計算機中,用米控制靜電板,繼而調(diào)整電子束方向,可在不使用掩模版的情況下產(chǎn)生電路圖形邊緣頭( edge bead):在旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠工藝中,在晶圓的邊緣堆起的頭狀。邊緣芯片( edge die):晶圓邊緣不完整的芯片。電可擦除可編程存儲器( electrically erasable PROM):-種存儲路,具有通過電脈沖清除數(shù)據(jù)并再接受新信息的能力,電遷徙( electromigration):電路T作時,電子在導(dǎo)線中的電場下擴散的現(xiàn)象。、往往發(fā)牛在鋁
膜導(dǎo)線中并表現(xiàn)為電路失效而非工藝缺陷。金屬導(dǎo)線會變薄直至斷開,引起電路開路,、電子( electron):原子中圍繞原子核旋轉(zhuǎn)的帶電粒子。,可與其他原子中的電子配合成鍵,也町以從原子中失去使原子變成離子。
橢偏儀( ellipsometer):利用瀲光做光源測量薄膜厚度的儀器·二發(fā)射極( emitter):(1)晶體管中的區(qū)域,作為載流子源或輸入端;(2)通常使用磷做的N型打 散過程形成NPN型晶體管的發(fā)射極,PNP晶體管的基區(qū)接觸,NPN晶體管的N+接觸,以及低阻值電阻,延( epitaxial):(希臘語“置于其上”)在單晶襯底上生長單晶半導(dǎo)體薄膜?外延層與襯底材料的晶格特性相同,環(huán)氧封裝體( epoxy package):參見壓塑封裝體。
可擦除可編程存儲器( erasable PROM):具有清除數(shù)據(jù)并再接受新信息能力的存儲電路,刻蝕( etch):去除特定區(qū)域材料的T藝過程。往往通過濕法或干法的化學(xué)反應(yīng),或者物理方法,如濺射刻蝕實現(xiàn)蒸發(fā)( evaporation):通過加熱將某種材料(通常是金屬或金屬合金)從固態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài),并淀積療:晶惻表面的藝。半導(dǎo)體1藝中常使用電子束或燈絲式加熱蒸發(fā)的方法.
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