制造( fabrication)：集成電路生產(chǎn)：過程．制造良品率( fabrication yield)：DIB9090M到達(dá)晶圓分揀處的晶圓數(shù)量Ljl_．-藝開始時(shí)的晶網(wǎng)數(shù)量的Fi分比特征圖形尺寸( feature size)：器件中圖形開[1或間距的最小寬度場效應(yīng)晶體管（field-effect transistor）：包含源、柵、漏極的晶體管  其行為由從源極經(jīng)過柵極流向漏極的多數(shù)載流f電流決定  電流由柵極卜的橫向電場控制，參見單極晶體管場氧化物( field oxide)：電F器件中氧化物用來作為介質(zhì)的區(qū)域最終測試( final test)：封裝J：藝的最后一步。對封裝好的芯片最后的測試．Fin場效應(yīng)晶體管(FinFET)：具有堆起的“鰭”(fin)形的一種3D晶體管，它叮以提供比平面柵更人的柵面積快閃存儲器（flash memorlt）：一種EPROM或EEPROM，具有成塊擦除存儲矩陣中教據(jù)的能力恒溫區(qū)( flat zone)：管形爐中溫度高度受控的區(qū)域。翻轉(zhuǎn)芯片連接( flip-chip joining)：一種芯片或封裝體的連接工藝。在芯片表面做連接的金屬形成“凸點(diǎn)”，而芯片“翻轉(zhuǎn)”后焊接在封裝體七，也稱為倒扣焊．前開口統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的匣（front opening unified pod）：在晶圓制造線卜使用的晶圓載片匣。為J-

維護(hù)晶圓潔凈，它是一個(gè)微小環(huán)境并且與工藝設(shè)備匹配。

    四探針測試儀（four-point probe）：用來測量晶圓表面電阻的電測沒備反應(yīng)爐( furnace)：具備電阻加熱元和溫度控制器的工藝設(shè)備。在半導(dǎo)體1-藝中用來提供個(gè)受控的恒溫環(huán)境。