硅的摻雜物往往來源于元素周期表中的第IIJ族和第V族元素

摻雜淀積( dopant' deposition)：DG508ACJ擴(kuò)散工藝過程的第-步。摻雜物原子擴(kuò)散進(jìn)入晶嘲表由i，摻雜( doping)：將某種雜質(zhì)（摻雜物）引入半導(dǎo)體晶格，并改變其電特性。例如，在硅中加入硼使硅成為P刑半導(dǎo)漏極( drain)：tj源極，柵極共同構(gòu)成單極型或場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)：動(dòng)態(tài)隨即存儲(chǔ)器( dynamic random access memory)：存儲(chǔ)數(shù)字信息的存儲(chǔ)器、信息被存儲(chǔ)在“易失”( volatile)狀態(tài)推進(jìn)( drive-in)：擴(kuò)散l：藝的·個(gè)階段，摻雜物被推向晶圓深處干法刻蝕( dry etch)：參見等離f體刻蝕。

   干氧化( dry ox)：使用氧戶℃和氫氣生長(zhǎng)二氧化硅的方法。在工藝溫度下形成水蒸氣，而不是隨接使用水蒸干氧化硅( dry oxide)：使用氧氣熱氧化牛成的二氧化硅．雙大馬士革( dual damascene)：一種圖形化工藝，首先將要求的圖形定義在晶圓卜^表面的溝槽哏，接F來用導(dǎo)電金屬過填充．、通常使用化學(xué)機(jī)械拋光1j藝去除溢出的過填充，留F在槽內(nèi)的金屬圖形

   電子束( electron-beam)：小需要掩模版而可以直接生成圖像的曝光光源。電子束可以通過靜電板的偏轉(zhuǎn)到達(dá)準(zhǔn)確的位置，產(chǎn)生亞微米級(jí)的圖形。