S0 9000:國際標(biāo)準(zhǔn)化組織關(guān)于凈化間的標(biāo)準(zhǔn)，隔離擴(kuò)散（isolation diffusion）：DLW21HN900SQ2L擴(kuò)散步驟。形成圍繞需要隔離區(qū)域的PN結(jié)一各向同性刻蝕( isotropic etching)：指對(duì)光刻膠的刻蝕同時(shí)向下和向側(cè)面進(jìn)行。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管( junction field-effect transistor)：電壓加在一個(gè)電極以控制源區(qū)和漏區(qū)之間電流的器件。

     結(jié)( junction)：材料內(nèi)從P型導(dǎo)電轉(zhuǎn)向N型導(dǎo)電（或相反）的界面。致命缺陷( killer defect)：呵引起器件或電路失效的缺陷。

橫向擴(kuò)散( lateral  diffusion)：每次當(dāng)晶圓加熱到接近擴(kuò)散溫時(shí)，摻雜物從一邊擴(kuò)散到另一邊的過程、薄膜工藝( layering)：不同材料的薄層生長，或添加到晶圓表面的I=藝。

   導(dǎo)線( lead)：晶圓表面的金屬條。

   發(fā)光二極管( light-emitting diode)：一種半導(dǎo)體器件，少數(shù)載流子的能量與空穴結(jié)合后轉(zhuǎn)化為Jc -通常，但不一定由帶PN結(jié)的器件構(gòu)成。剝離工藝（lift-off process）：一種材料去除【：藝．材料淀積到光刻膠內(nèi)的孔內(nèi)，而決定圖形后，光刻膠從表面被去除（剝離）。

    亮場(chǎng)掩模版（light field mask）：參見亮場(chǎng)掩模版：平版印刷術(shù)( lithography)：用來進(jìn)行圖案的轉(zhuǎn)移，當(dāng)使用光線的時(shí)候，這個(gè)詞變成photc，mthog。aphy，表示光刻工藝的意思，當(dāng)圖案的尺寸可以使用微米來衡量的時(shí)候，這個(gè)詞就變miCrolithography，代表微光刻技術(shù)的意思.