CCD的電荷儲存容量表示在電極F的勢阱中能容納的電荷量。由于CCD是電荷儲存與轉(zhuǎn)移的器件，FGH40N60SMDF因此電荷儲存容量等于時(shí)鐘脈沖變換幅值電壓AV與氧化層電容Co。（忽略耗盡層電容Cd，因?yàn)镃o�！謑OCd）的乘積.A礦為時(shí)鐘脈沖變換幅值；Co。為Si02層的電容；彳為柵極面積。

   如果Si02氧化層的厚度為d，則每個(gè)電極下的勢阱中，最大電荷儲存容量.若設(shè)電極下氧化層厚度d=1500A，而AV=10V，氣=3.9，島=8.85 xl0之pF/cm，q-1.6xl019 C，彳-1 cn12，將以上各值帶入式(7.29)，計(jì)算得Nmax=7xl06，這足以容納1000 lx的光照2 ns所產(chǎn)生的載流子。

   提高時(shí)鐘脈沖的幅值或減小d值，均可以增大電荷儲存量。但這兩個(gè)條件都受到Si02擊穿電場強(qiáng)度的限制，通常電場強(qiáng)度Emax=5～10x10io V.cm-1，對體內(nèi)溝道CCD在相同電極尺寸和相同時(shí)鐘脈沖變化幅值下，當(dāng)N溝道厚度為1“m時(shí)，其最大電荷儲存容量為表面溝道CCD的50%。