單片式又稱(chēng)整體式，它沿 MAX4321EUK用可見(jiàn)光CCD的概念和結(jié)構(gòu)，即整個(gè)IR-CCD做在一塊芯片上。它具體又可分為兩種情況：一種是CCD本身就對(duì)紅外敏感，融探測(cè)、轉(zhuǎn)移功能于一體；另一種是把紅外敏感元同轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)做在同一基底上�；资且粔K窄禁帶本征半導(dǎo)體或摻雜的非本征半導(dǎo)體材料。單片式IR-CCD幾乎都是采用MIS（即金屬一絕緣物一半導(dǎo)體）器件工藝，它又主要分為以下三種類(lèi)型。

   本征單片式IR-CCD

   本征單片式IR-CCD是將紅外光敏部分與轉(zhuǎn)移部分同時(shí)制作在一塊窄禁帶寬度的本征半導(dǎo)體上。本征單片式IR-CCD原理和結(jié)構(gòu)上類(lèi)似于可見(jiàn)光Si-CCD，但是它必須工作在低溫下，比雜質(zhì)硅的溫度高。受重視的材料有HgCdTe，主要是這類(lèi)本征材料具有較大的吸收系數(shù)。這類(lèi)器件工作模式與可見(jiàn)光Si-CCD也相同，即采用反型的表面深勢(shì)阱收集信號(hào)電荷。其優(yōu)點(diǎn)是量子效率較高；缺點(diǎn)是轉(zhuǎn)移效率低（胛= 0.9），響應(yīng)均勻性差，且由于窄禁帶材料的隧道效應(yīng)限制了外加電壓的幅度，則表面勢(shì)不大，因此存儲(chǔ)容量較小。