肖特基勢(shì)壘單片式IR-CCD是基于肖特基勢(shì)壘的光電子發(fā)射效應(yīng)，G4BC40F-S它是為解決大面積均勻性問(wèn)題而設(shè)計(jì)出來(lái)的。其主要是利用硅集成電路工藝在硅基底上制作肖特基勢(shì)壘二極管面陣及信息處理部分，構(gòu)成焦平面陣列。它不需要摻深能級(jí)雜質(zhì)，可以獲得105個(gè)電荷的載荷量，基本結(jié)構(gòu)由沉積在硅上的金屬(Pt或Pd)構(gòu)成，在金屬和P型硅之間形成肖特基勢(shì)壘。

   肖特基勢(shì)壘光電探測(cè)器與其他紅外探測(cè)器相比，最大優(yōu)點(diǎn)是可直接用硅集成電路工藝。此外，硅肖特基焦平面靈敏元之間的均勻性比一般紅外探測(cè)器焦平面高100倍以上。其他紅外探測(cè)器焦平面均勻性不好是因?yàn)檩d流子壽命、擴(kuò)散長(zhǎng)度及合金組分不均勻，而硅肖特基勢(shì)壘焦平面是基于熱電子發(fā)射，與上述參數(shù)無(wú)關(guān)。器件均勻性好，減少了固定圖像噪聲，使它們能對(duì)低對(duì)比的紅外景物成像，并需要最少的信息處理，且焦平面機(jī)械性能堅(jiān)固。