鰭背式晶體管(FinFET)技術(shù)正是在這樣的狀況下應(yīng)運而生�！莕FET稱為鰭背式場S606C-1000效應(yīng)晶體管(∏nField-cffcct transistor,FinFET),它是一種新的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管,柵長已可小于2snm,未來預(yù)期可以進一步縮小至%m。FhFET是源自目前傳統(tǒng)標準的場效應(yīng)晶體管(Ficld~effect transistor,FET)的一項創(chuàng)新設(shè)計。在傳統(tǒng)的晶體管結(jié)構(gòu)中,只能在柵極的一側(cè)控制電路的接通與斷開,屬于平面架構(gòu)。在FillFET的架構(gòu)中,柵極類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu),可在電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。這種設(shè)計可以大幅改善電路控制并減少漏電流,也可以大幅縮短晶體管的柵長,如圖1.5所示。

   圖1.5 集成電路中晶體管的變化

   FinFET技術(shù)對移動設(shè)備來說也變得日益重要。自2011年Intel推出商業(yè)化的2加m節(jié)點工藝的FinFET以來,目前FinFET已經(jīng)在向14nm節(jié)點推進發(fā)展,并帶動整個半導(dǎo)體制造技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

   集成電路的快速發(fā)展,給可靠性保證帶來了巨大的挑戰(zhàn)。集成電路的可靠性需要深入研究可靠性物理和失效機理,結(jié)合產(chǎn)品的設(shè)計要求,以減少可靠性對集成電路特征尺寸進一步縮小的制約,并保證產(chǎn)品保持足夠的可靠性容限(ReliabilityAllowance)。